[发明专利]半导体装置及存储器系统有效

专利信息
申请号: 201910733159.7 申请日: 2019-08-09
公开(公告)号: CN111583979B 公开(公告)日: 2023-10-13
发明(设计)人: 安田阳平;栉部秀文;八木利弘 申请(专利权)人: 铠侠股份有限公司
主分类号: G11C11/40 分类号: G11C11/40;G11C11/36;G11C5/14;H03F1/30;H03F3/45
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 徐殿军
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一实施方式提供一种能够使差动放大电路的动作电压范围宽域化的半导体装置及存储器系统。根据一实施方式,在半导体装置的第1差动放大电路中,第1晶体管用栅极接受输入信号。第2晶体管和第1晶体管构成差动对。第2晶体管用栅极接受参照信号。第3晶体管与第1晶体管串联地连接。第4晶体管与第2晶体管串联地连接。第5晶体管配设在输出侧。第5晶体管和第4晶体管形成第1电流反射镜电路。第6晶体管与第4晶体管并联地连接于第2晶体管的漏极。第6晶体管和第5晶体管形成第2电流反射镜电路。第1放电电路连接在第6晶体管的源极上。
搜索关键词: 半导体 装置 存储器 系统
【主权项】:
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