[发明专利]半导体装置及存储器系统

权利要求书

1.一种半导体装置，

具备第1差动放大电路；

上述第1差动放大电路具有：

第1晶体管，用栅极接受输入信号；

第2晶体管，和上述第1晶体管构成差动对，用栅极接受参照信号；

第3晶体管，与上述第1晶体管串联地连接；

第4晶体管，与上述第2晶体管串联地连接；

第5晶体管，配设在输出侧，和上述第4晶体管形成第1电流反射镜电路；

第6晶体管，与上述第4晶体管并联地连接于上述第2晶体管的漏极，和上述第5晶体管形成第2电流反射镜电路；以及

第1放电电路，连接在上述第6晶体管的源极上。

2.如权利要求1所述的半导体装置，

上述第1放电电路具有经由上述第6晶体管被二极管连接的第7晶体管。

3.如权利要求1所述的半导体装置，

上述第1差动放大电路还具有与上述第1放电电路并联地连接于上述第6晶体管的源极的第2放电电路。

4.如权利要求3所述的半导体装置，

上述第2放电电路具有漏极电连接在上述第6晶体管的源极上、用栅极接受上述参照信号的第8晶体管。

5.如权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，

还具备与上述第1差动放大电路构成差动对的第2差动放大电路；

上述第2差动放大电路具有：

第9晶体管，用栅极接受上述输入信号；

第10晶体管，和上述第9晶体管构成差动对，用栅极接受上述参照信号；

第11晶体管，与上述第9晶体管串联地连接；

第12晶体管，与上述第10晶体管串联地连接；

第13晶体管，配设在输出侧，和上述第12晶体管形成第3电流反射镜电路；

第14晶体管，与上述第12晶体管并联地连接于上述第10晶体管的漏极，和上述第13晶体管形成第4电流反射镜电路；以及

第3放电电路，连接在上述第14晶体管的源极上。

6.一种半导体装置，

具备第1差动放大电路；

上述第1差动放大电路具有：

第1晶体管，用栅极接受第1输入信号；

第2晶体管，并联地连接在上述第1晶体管的源极及漏极间，用栅极接受第1参照信号；以及

第3晶体管，和上述第2晶体管构成差动对，用栅极接受上述第1参照信号。

7.如权利要求6所述的半导体装置，

上述第1差动放大电路还具有并联地连接在上述第3晶体管的源极及漏极间、并且用栅极接受第2参照信号的第4晶体管。

8.如权利要求6所述的半导体装置，

还具备和上述第1差动放大电路构成差动对的第2差动放大电路；

上述第2差动放大电路具有：

第5晶体管，用栅极接受第2输入信号；

第6晶体管，并联地连接在上述第5晶体管的源极及漏极间，用栅极接受第3参照信号；以及

第7晶体管，和上述第6晶体管构成差动对，用栅极接受上述第3参照信号。

9.如权利要求8所述的半导体装置，

上述第1差动放大电路还具有并联地连接在上述第3晶体管的源极及漏极间、并且用栅极接受第2参照信号的第4晶体管；

上述第2差动放大电路还具有并联地连接在上述第7晶体管的源极及漏极间、并且用栅极接受上述第2参照信号的第8晶体管。