[发明专利]半导体装置及存储器系统

说明书

一实施方式提供一种能够使差动放大电路的动作电压范围宽域化的半导体装置及存储器系统。根据一实施方式，在半导体装置的第1差动放大电路中，第1晶体管用栅极接受输入信号。第2晶体管和第1晶体管构成差动对。第2晶体管用栅极接受参照信号。第3晶体管与第1晶体管串联地连接。第4晶体管与第2晶体管串联地连接。第5晶体管配设在输出侧。第5晶体管和第4晶体管形成第1电流反射镜电路。第6晶体管与第4晶体管并联地连接于第2晶体管的漏极。第6晶体管和第5晶体管形成第2电流反射镜电路。第1放电电路连接在第6晶体管的源极上。

本申请以日本专利申请2019－27849号(申请日：2019年2月19日)为基础主张优先权，这里包含其全部内容。

技术领域

本实施方式涉及半导体装置及存储器系统。

背景技术

在包括用构成差动对的一对晶体管分别接受输入信号及参照信号的差动放大电路的半导体装置中，使用电源电压将输入信号及参照信号的差放大而生成差信号。此时，希望使差动放大电路的动作电压范围宽域化。

发明内容

本发明提供一种能够使差动放大电路的动作电压范围宽域化的半导体装置及存储器系统。

根据一技术方案，提供一种具有第1差动放大电路的半导体装置。第1差动放大电路具有第1晶体管、第2晶体管、第3晶体管、第4晶体管、第5晶体管、第6晶体管和第1放电电路。第1晶体管用栅极接受输入信号。第2晶体管和第1晶体管构成差动对。第2晶体管用栅极接受参照信号。第3晶体管与第1晶体管串联地连接。第4晶体管与第2晶体管串联地连接。第5晶体管配设在输出侧。第5晶体管和第4晶体管形成第1电流反射镜电路。第6晶体管与第4晶体管并联地连接于第2晶体管的漏极。第6晶体管和第5晶体管形成第2电流反射镜电路。第1放电电路连接在第6晶体管的源极上。

附图说明

图1是表示有关第1实施方式的半导体装置的结构的电路图。

图2是表示有关第2实施方式的半导体装置的结构的电路图。

图3是表示有关第3实施方式的半导体装置的结构的电路图。

图4是表示有关第4实施方式的半导体装置的结构的电路图。

图5是表示有关第4实施方式的变形例的半导体装置的结构的电路图。

图6是表示有关第5实施方式的半导体装置的结构的电路图。

图7是表示有关第5实施方式的变形例的半导体装置的结构的电路图。

图8是表示有关第6实施方式的半导体装置的结构的电路图。

图9是表示能够应用有关第1实施方式～第6实施方式及它们的变形例的半导体装置的存储器系统的结构的电路图。

具体实施方式

以下，参照附图详细地说明有关实施方式的半导体装置。另外，并不由该实施方式限定本发明。

(第1实施方式)

有关第1实施方式的半导体装置包括差动放大电路。差动放大电路用构成差动对的一对晶体管分别接受输入信号及参照信号。差动放大电路使用电源电压将输入信号及参照信号的差放大而生成差信号。有时在半导体存储器的高速接口的接收器中使用包括差动放大电路的半导体装置。此时，希望使差动放大电路的动作高速化。

例如，在差动放大电路中，有在输入信号侧和参照信号侧分别设置有辅助电路的结构，所述辅助电路纵联着和输出侧的晶体管形成电流反射镜的二极管连接的晶体管以及用栅极接受信号的晶体管。通过这些辅助电路，能够根据输入信号使电流反射镜的反射比变化，能够使差动放大电路高速地动作。即，能够通过辅助电路的效果使差动放大电路整体的增益增大，带来差动放大电路的高速化。