[发明专利]薄膜晶体管阵列基板有效
申请号: | 201910729851.2 | 申请日: | 2019-08-08 |
公开(公告)号: | CN110459607B | 公开(公告)日: | 2021-08-06 |
发明(设计)人: | 刘净 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L29/49 | 分类号: | H01L29/49;H01L29/45;H01L27/12;H01L29/786 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提出了一种薄膜晶体管阵列基板,包括:依次设置的基板、栅极、栅极绝缘层、活性层、欧姆接触层、源/漏极、像素电极以及钝化层,其特征在于,所述栅极和所述源/漏极为双层结构,所述双层结构包括一层含钼的钼三元合金阻挡层和一层铜电极层。通过所述双层结构解决薄膜晶体管阵列基板中金属层的底切和掏空问题,从而提高产品的良率。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管阵列基板,包括:依次设置的基板、栅极、栅极绝缘层、活性层、欧姆接触层、源/漏极、像素电极以及钝化层,其特征在于,所述栅极和所述源/漏极为双层结构,所述双层结构包括一层含钼的钼三元合金阻挡层和一层铜电极层。/n
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