[发明专利]薄膜晶体管阵列基板有效
| 申请号： | 201910729851.2 | 申请日： | 2019-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN110459607B | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 刘净 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L29/45;H01L27/12;H01L29/786 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 | ||
【权利要求书】：
1.一种薄膜晶体管阵列基板，包括：依次设置的基板、栅极、栅极绝缘层、活性层、欧姆接触层、源/漏极、像素电极以及钝化层，其特征在于，所述欧姆接触层在所述基板上的投影面积大于或等于所述源/漏极在所述基板上的投影面积，所述活性层还包括薄膜晶体管通道区，所述欧姆接触层有一部份延伸至薄膜晶体管通道区表面，且所述欧姆接触层的部份上表面为所述钝化层所覆盖，所述栅极和所述源/漏极为双层结构，所述双层结构包括一层含钼的钼三元合金阻挡层和一层铜电极层，所述钼三元合金阻挡层厚度为小于或等于1000埃，所述铜电极层厚度为小于或等于7000埃，所述铜电极层位于所述钼三元合金阻挡层的上方；
所述钼三元合金阻挡层包括三种金属元素，其中两种金属元素分别为钼和钛,另外一种金属元素为选自铝，铬和镍其中一种；
所述钛含量为0.5-85％，所述铝含量为0.5-85％，所述铬含量为0.5-85％，所述镍含量为0.5-85％。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，还包括依次设置在所述基板上的闸极电极、闸极电极垫、数据线和数据垫，所述闸极电极、所述闸极电极垫、所述数据线和所述数据垫为所述双层结构。
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