[发明专利]薄膜晶体管阵列基板

说明书

本发明提出了一种薄膜晶体管阵列基板，包括：依次设置的基板、栅极、栅极绝缘层、活性层、欧姆接触层、源/漏极、像素电极以及钝化层，其特征在于，所述栅极和所述源/漏极为双层结构，所述双层结构包括一层含钼的钼三元合金阻挡层和一层铜电极层。通过所述双层结构解决薄膜晶体管阵列基板中金属层的底切和掏空问题，从而提高产品的良率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管阵列基板。

背景技术

随着信息技术的进步，显示屏已逐渐向高品质化和高功能化的方向发展。显示屏的功能越多，画质越高，薄膜晶体管(thin film transistor,TFT)所需数量就越多，薄膜晶体管阵列基板上方的电路就越复杂，且其中电性连接用的金属线越长，从而造成信号的延迟。在大尺寸显示面板的制造工艺中，薄膜晶体管阵列基板里电性连接用的金属线工艺已经采用铜制程取代了铝制程，因为铜具有更好的电导率和更低的阻抗。

通常，会在铜电极和基板之间先涂布一层具有金属成份的阻档层，从而增加铜对基板的附着性以及阻挡铜向薄膜晶体管有源层的扩散性。由于钼的材料特性具有电阻率低、对基板的黏附性好，且对铜的扩散有较好的阻挡作用，成为阻挡层材料的选择之一。但是钼在碱性的光阻剥离液中容易被腐蚀，从而形成底切(undercut)和底切造成后续的铜掏空。

如何改善薄膜晶体管阵列基板中金属层的底切和掏空问题，从而提高产品的良率，是目前急需解决的问题。

发明内容

为解决薄膜晶体管阵列基板中金属层的底切和掏空问题，从而提高产品的良率，本发明提出了一种薄膜晶体管阵列基板，包括：依次设置的基板、栅极、栅极绝缘层、活性层、欧姆接触层、源/漏极、像素电极以及钝化层，其特征在于，所述栅极和所述源/漏极为双层结构，所述双层结构包括一层含钼的钼三元合金阻挡层和一层铜电极层。

本发明其中之一实施例中，其特征在于，所述钼三元合金阻挡层包括三种金属元素，其中两种金属元素分别为钼和钛,另外一种金属元素为选自铝，铬和镍其中一种。

本发明其中之一实施例中，其特征在于，其特征在于，所述钛的含量为0.5-85％。

本发明其中之一实施例中，其特征在于，所述铝含量为0.5-85％，所述铬含量为0.5-85％，所述镍含量为0.5-85％。

本发明其中之一实施例中，其特征在于，所述欧姆接触层在所述基板上的投影面积大于或等于所述源/漏极在所述基板上的投影面积。

本发明其中之一实施例中，其特征在于，所述活性层还包括薄膜晶体管通道区，所述欧姆接触层有一部份延伸至薄膜晶体管通道区表面，且所述欧姆接触层的部份上表面为所述钝化层所覆盖。

本发明其中之一实施例中，其特征在于，所述钼三元合金阻挡层厚度为小于或等于1000埃。

本发明其中之一实施例中，其特征在于，所述铜电极层厚度为小于或等于7000埃。

本发明其中之一实施例中，其特征在于，还包括依次设置在所述基板上的闸极电极、闸极电极垫、数据线和数据垫，所述闸极电极、所述闸极电极垫、所述数据线和所述数据垫为所述双层结构。

本发明其中之一实施例中，其特征在于，所述铜电极层位于所述钼三元合金阻挡层的上方。

附图说明

为了更清楚地说明实施例或本提案中的技术方案，下面将对实施例或本提案技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本提案的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明第一实施例提供的薄膜晶体管阵列基板的结构示意图；

图2为本发明第二实施例提供的薄膜晶体管阵列基板的结构示意图。