[发明专利]耗尽型鳍形晶体管及制作方法有效
| 申请号： | 201910720901.0 | 申请日： | 2019-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN110931561B | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 刘清 | 申请（专利权）人： | 安华高科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种耗尽型鳍形晶体管及一种制作方法。一种晶体管包含至少一个鳍形结构(例如，三个鳍形结构)及栅极。所述鳍形结构安置在绝缘体上半导体衬底的半导体层上方，所述半导体层位于绝缘体层上方。所述栅极安置在所述鳍形结构的至少三侧及所述半导体层的一部分之上。所述晶体管的沟道在所述栅极下方安置在鳍形结构及所述部分中。 | ||
| 搜索关键词： | 耗尽 型鳍形 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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