[发明专利]耗尽型鳍形晶体管及制作方法

说明书

本发明涉及一种耗尽型鳍形晶体管及一种制作方法。一种晶体管包含至少一个鳍形结构(例如，三个鳍形结构)及栅极。所述鳍形结构安置在绝缘体上半导体衬底的半导体层上方，所述半导体层位于绝缘体层上方。所述栅极安置在所述鳍形结构的至少三侧及所述半导体层的一部分之上。所述晶体管的沟道在所述栅极下方安置在鳍形结构及所述部分中。

技术领域

本发明涉及晶体管。本发明还涉及鳍形场效晶体管(FINFET)的结构及制作技术。

背景技术

巨大的顾客需求驱动着电子及通信技术迅速进步，这使得各种电子装置得到广泛采用。晶体管是这些装置的基础电路组件。晶体管应用于各种各样的电路，且FINFET已用于互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺中。晶体管设计上的改进会改进电子及通信装置中所使用的集成电路(IC)的实施及制造性。

发明内容

根据本发明的一个实施例，一种晶体管包括：至少一个鳍形结构，其安置在半导体层的一部分上方；及栅极，其安置在所述鳍形结构的至少三侧及半导体层的所述部分之上，所述部分邻近所述鳍形结构，其中所述晶体管的沟道在所述栅极下方安置在所述鳍形结构及所述半导体层的所述部分中。

根据本发明的一个实施例，一种集成电路包括：第一半导体鳍形结构，其安置在全耗尽型半导体层上方；第二半导体鳍形结构，其安置在所述全耗尽型半导体层上方；第三半导体鳍形结构，其安置在所述全耗尽型半导体层上方，其中所述第一半导体鳍形结构安置成与所述第二半导体鳍形结构平行，且所述第二半导体鳍形结构安置成与所述第三半导体鳍形结构平行，其中所述第一半导体鳍形结构与所述第二半导体鳍形结构间隔开第一距离，且所述第二半导体鳍形结构与所述第三半导体鳍形结构间隔开第二距离；第一沟道区部分，其在所述全耗尽型半导体层中位于所述第一半导体鳍形结构与所述第二半导体鳍形结构之间；第二沟道区部分，其在所述全耗尽型半导体层中位于所述第三半导体鳍形结构与所述第二半导体鳍形结构之间；及栅极，其安置在所述第一半导体鳍形结构、所述第二半导体鳍形结构及所述第三半导体鳍形结构中的每一者的至少三侧之上，且其中所述栅极安置在所述第一沟道区部分及所述第二沟道区部分之上。

根据本发明的一个实施例，一种方法包括：至少部分地在绝缘体上半导体衬底内设置隔离区，所述绝缘体上半导体衬底包括位于介电层上方的半导体层；在所述半导体层上方设置掩模；使用所述掩模蚀刻所述半导体层以设置第一鳍形结构、第二鳍形结构及第三鳍形结构，其中将所述半导体层蚀刻成使得所述半导体层的第一部分位于所述第一鳍形结构与所述第二鳍形结构之间且所述半导体层的第二部分位于所述第三鳍形结构与所述第二鳍形结构之间，其中所述第一部分及所述第二部分具有比所述第一鳍形结构、所述第二鳍形结构及所述第三鳍形结构的高度小的厚度；及在所述第一鳍形结构、所述第二鳍形结构及所述第三鳍形结构之上且在所述第一部分及所述第二部分之上设置栅极。

附图说明

结合附图参考详细说明将明了且更好地理解本发明的各个目标、方面、特征及优势，在附图中相似的参考字母始终标识对应的元件。在图式中，相似参考编号通常指示相同、功能类似及/或结构类似的元件。

图1是根据一些实施例的全耗尽型(FD)绝缘体上半导体(SOI)FINFET结构的平面俯视示意图；

图2是根据一些实施例的图1中所图解说明的在线2-2处截取的FD SOI FINFET结构的横截面示意图；

图3是根据一些实施例的图1中所图解说明的在线3-3处截取的FD SOI FINFET结构的横截面示意图；

图4是根据一些实施例的图1中所图解说明的在线4-4处截取的FD SOI FINFET结构的横截面示意图；

图5是根据一些实施例的图1中所图解说明的在线5-5处截取的FD SOI FINFET结构的横截面示意图；且

图6是流程图，其展示制作根据一些实施例的图1中所图解说明的FD SOI FINFET结构的操作。