[发明专利]耗尽型鳍形晶体管及制作方法

权利要求书

1.一种晶体管，其包括：

至少一个鳍形结构，其安置在半导体层的部分区域上方，所述至少一个鳍形结构具有顶部和底部，所述底部与所述半导体层的顶部表面共面；及

栅极，其安置在所述至少一个鳍形结构的至少三侧及所述半导体层的一部分之上，所述一部分邻近所述至少一个鳍形结构，其中所述晶体管的沟道在所述栅极下方安置在所述至少一个鳍形结构及所述半导体层的所述一部分中，其中所述半导体层是绝缘体上半导体衬底的全耗尽型硅层。

2.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述栅极从第一鳍形结构到第二鳍形结构是连续的。

3.根据权利要求1所述的晶体管，其中漏极安置在所述至少一个鳍形结构的第一端处且安置在所述半导体层的在所述一部分之外的第一区中，并且源极安置在所述至少一个鳍形结构的第二端处且安置在所述半导体层的在所述一部分之外的第二区中。

4.根据权利要求1所述的晶体管，其进一步包括两个额外鳍形结构，所述两个额外鳍形结构位于所述至少一个鳍形结构的每一侧上，且所述一部分在所述额外鳍形结构之间延伸。

5.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述至少一个鳍形结构的高度是50纳米或小于50纳米，且所述至少一个鳍形结构的宽度是10纳米或小于10纳米，由此所述晶体管的沟道宽度由于所述沟道部分地位于所述一部分中而至少大10％。

6.根据权利要求5所述的晶体管，其中相邻鳍形结构之间的间隔是20纳米或小于20纳米。

7.根据权利要求1所述的晶体管，其进一步包括：

沟槽隔离区，其环绕所述至少一个鳍形结构，其中所述至少一个鳍形结构包括三个鳍形结构。

8.根据权利要求7所述的晶体管，其中所述晶体管的有效沟道宽度比所述至少一个鳍形结构周围的周长高至少10％。

9.一种集成电路，其包括：

第一半导体鳍形结构，其安置在全耗尽型半导体层上方；

第二半导体鳍形结构，其安置在所述全耗尽型半导体层上方；

第三半导体鳍形结构，其安置在所述全耗尽型半导体层上方，其中所述第一半导体鳍形结构安置成与所述第二半导体鳍形结构平行，且所述第二半导体鳍形结构安置成与所述第三半导体鳍形结构平行，其中所述第一半导体鳍形结构与所述第二半导体鳍形结构间隔开第一距离，且所述第二半导体鳍形结构与所述第三半导体鳍形结构间隔开第二距离；

第一沟道区部分，其在所述全耗尽型半导体层中位于所述第一半导体鳍形结构与所述第二半导体鳍形结构之间；

第二沟道区部分，其在所述全耗尽型半导体层中位于所述第三半导体鳍形结构与所述第二半导体鳍形结构之间；及

栅极，其安置在所述第一半导体鳍形结构、所述第二半导体鳍形结构及所述第三半导体鳍形结构中的每一者的至少三侧之上，且其中所述栅极安置在所述第一沟道区部分及所述第二沟道区部分之上。

10.根据权利要求9所述的集成电路，其中所述栅极从所述第一半导体鳍形结构到所述第三半导体鳍形结构是连续的。

11.根据权利要求9所述的集成电路，其中所述栅极包括栅极介电层及栅极导体。

12.根据权利要求9所述的集成电路，其进一步包括：

第一虚设栅极，其至少部分地安置在第一隔离沟槽以及所述第一半导体鳍形结构、所述第二半导体鳍形结构及所述第三半导体鳍形结构的第一端上方。

13.根据权利要求12所述的集成电路，其进一步包括：

第二虚设栅极，其至少部分地安置在第二隔离沟槽以及所述第一半导体鳍形结构、所述第二半导体鳍形结构及所述第三半导体鳍形结构的第二端上方。