[发明专利]发光二极管芯片与发光二极管装置有效
| 申请号： | 201910717718.5 | 申请日： | 2019-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN110797444B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 庄东霖;黄逸儒;郭佑祯;兰彦廷;沈志铭;黄靖恩 | 申请（专利权）人： | 新世纪光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/02;H01L33/10;H01L33/46 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 罗英;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管芯片，包括磊晶叠层、第一、第二电极以及第一反射层。磊晶叠层包括第一型、第二型半导体层与发光层。第一、第二电极分别与第一型、第二型半导体层电性连接。发光层于第一型半导体层的正投影与第一电极于第一型半导体层的正投影错位。第一反射层设置于磊晶叠层、第一、第二电极上。第一反射层于第二型半导体层的正投影与第二电极于第二型半导体层的正投影错位。另，一种发光二极管装置亦被提供。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 装置 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管芯片，包括：/n磊晶叠层，包括第一型半导体层、发光层以及第二型半导体层，所述发光层位于所述第一型半导体层与所述第二型半导体层之间；/n第一电极，设置于所述第一型半导体层上，且与所述第一型半导体层电性连接，其中所述发光层于所述第一型半导体层的正投影与所述第一电极于所述第一型半导体层的正投影错位；/n第二电极，设置于所述第二型半导体层上，且与所述第二型半导体层电性连接；以及/n第一反射层，设置于所述磊晶叠层、所述第一电极与所述第二电极上，其中所述第一反射层于所述第二型半导体层的正投影与所述第二电极于所述第二型半导体层的正投影错位。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新世纪光电股份有限公司，未经新世纪光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910717718.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：发光元件
- 下一篇：一种双层石墨烯膜LED电极材料及其制备方法
