[发明专利]发光二极管芯片与发光二极管装置有效

专利信息
申请号: 201910717718.5 申请日: 2019-08-05
公开(公告)号: CN110797444B 公开(公告)日: 2022-10-28
发明(设计)人: 庄东霖;黄逸儒;郭佑祯;兰彦廷;沈志铭;黄靖恩 申请(专利权)人: 新世纪光电股份有限公司
主分类号: H01L33/36 分类号: H01L33/36;H01L33/02;H01L33/10;H01L33/46
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 罗英;臧建明
地址: 中国台湾台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 芯片 装置
【权利要求书】:

1.一种发光二极管芯片,包括:

磊晶叠层,包括第一型半导体层、发光层以及第二型半导体层,所述发光层位于所述第一型半导体层与所述第二型半导体层之间;

第一电极,设置于所述第一型半导体层上,且与所述第一型半导体层电性连接,其中所述发光层于所述第一型半导体层的正投影与所述第一电极于所述第一型半导体层的正投影错位;

第二电极,设置于所述第二型半导体层上,且与所述第二型半导体层电性连接;以及

第一反射层,设置于所述磊晶叠层、所述第一电极与所述第二电极上,其中所述第一反射层于所述第二型半导体层的正投影与所述第二电极于所述第二型半导体层的正投影错位;

其中所述第一电极还包括多个彼此分离的第一电极部,且所述第二电极还包括多个彼此分离的第二电极部,其中所述多个第二电极部环绕设置于所述多个第一电极部;所述多个第一电极部的其中之一作为蚀刻阻挡层。

2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片,还包括第一反射叠层,所述第一反射叠层包括第一绝缘层、所述第一反射层与第二绝缘层,所述第一反射层设置于所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间,其中,

所述第一绝缘层设置于所述磊晶叠层、所述第一电极与所述第二电极上且具有多个第一通孔;

所述第一反射层设置于所述第一绝缘层上且具有多个第二通孔,所述多个第二通孔于所述第二型半导体层上的正投影与所述第二电极于所述第二型半导体层上的正投影重叠;以及

所述第二绝缘层设置于所述第一反射层上且具有多个第三通孔,

其中,所述多个第一通孔、所述多个第二通孔与所述多个第三通孔暴露出所述第二电极。

3.根据权利要求2所述的发光二极管芯片,还包括第一连接金属层,设置于所述第二绝缘层上且通过所述多个第一通孔、所述多个第二通孔与所述多个第三通孔以与所述第二电极电性连接。

4.根据权利要求2所述的发光二极管芯片,其中所述第一反射叠层还包括:

第二反射层,设置于所述第一反射层上且位于所述第二绝缘层与第一绝缘层之间,所述第二反射层具有多个第四通孔,所述多个第四通孔于所述第二型半导体层上的正投影重叠于所述第二电极于所述第二型半导体层上的正投影,

其中,所述多个第一通孔、所述多个第二通孔、所述多个第三通孔与所述多个第四通孔暴露出所述第二电极。

5.根据权利要求4所述的发光二极管芯片,还包括第一连接金属层,设置于所述第二绝缘层上且通过所述多个第一通孔、所述多个第二通孔、所述多个第三通孔与所述多个第四通孔并与所述第二电极电性连接。

6.根据权利要求2所述的发光二极管芯片,还包括第二反射叠层,设置于所述第一反射叠层上,

其中,

所述第二反射叠层,还包括第三绝缘层、第三反射层与第四绝缘层,所述第三反射层设置于所述第三绝缘层与所述第四绝缘层之间,其中,

所述第三绝缘层设置于所述第一反射叠层上且具有多个第五通孔;

所述第三反射层设置于所述第三绝缘层上且具有多个第六通孔,所述多个第六通孔于所述第二型半导体层上的正投影与所述第二电极的一部分于所述第二型半导体层上的正投影重叠;以及

所述第四绝缘层,设置于所述第二反射层上且具有多个第七通孔,其中所述多个第五通孔、所述多个第六通孔与所述多个第七通孔暴露出所述第二电极的所述部分。

7.根据权利要求6所述的发光二极管芯片,还包括第一连接金属层、第一电流传导层以及第二电流传导层,

其中,所述第一连接金属层设置于所述第二反射叠层上,所述第一电流传导层与所述第二电流传导层位于所述第一反射叠层与所述第二反射叠层之间,所述第一电流传导层设置于所述第一电极上且与所述第一电极电性连接,所述第二电流传导层设置于所述第二电极上且与所述第二电极电性连接,

其中,所述第一连接金属层通过所述多个第五通孔、所述多个第六通孔与所述多个第七通孔与所述第二电流传导层电性连接。

8.根据权利要求1所述的发光二极管芯片,还包括电流阻挡层与欧姆接触层,所述电流阻挡层设置于所述欧姆接触层与所述第二型半导体层之间,且所述欧姆接触层包覆所述电流阻挡层。

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