[发明专利]晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201910711187.9 | 申请日： | 2019-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN110571332B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 梁世博;樊晨炜;邱晨光;孟令款 | 申请（专利权）人： | 北京元芯碳基集成电路研究院;北京华碳元芯电子科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10K10/46 | 分类号： | H10K10/46;H10K10/84;H10K71/00;H10K71/60;C25D5/02 |
| 代理公司： | 北京惟专知识产权代理事务所(普通合伙) 16074 | 代理人： | 赵星 |
| 地址： | 100093 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种晶体管及其制造方法，该晶体管的制造方法包括：在衬底上形成碳纳米管；在碳纳米管上形成栅叠层结构；以及在碳纳米管上形成电接触，其中，形成电接触的步骤包括：采用电镀工艺在碳纳米管的表面生长导电材料，在电镀过程中，栅叠层结构作为掩模。该制造方法通过将栅叠层结构作为掩模，并采用电镀工艺选择性的在碳纳米管表面的源漏区自下而上生长导电材料形成电接触，同时解决了现有技术中由于使用溅射、蒸镀等沉积手段沉积源漏金属时产生的孔洞问题与源漏金属的侧墙沉积问题。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管的制造方法，包括：/n在衬底上形成碳纳米管；/n在所述碳纳米管上形成栅叠层结构；以及/n在所述碳纳米管上形成电接触，/n其中，形成所述电接触的步骤包括：采用电镀工艺在所述碳纳米管的表面生长导电材料，在电镀过程中，所述栅叠层结构作为掩模。/n
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