[发明专利]晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种晶体管的制造方法，包括：

在衬底上形成碳纳米管；

在所述碳纳米管上形成包括栅极电介质与栅极导体的栅叠层结构；以及

在所述碳纳米管上形成电接触，

其中，形成所述电接触的步骤包括：采用电镀工艺在所述碳纳米管的表面生长导电材料，在电镀过程中，所述栅叠层结构作为掩模；

其中，在形成所述电接触之前，还包括形成覆盖所述栅叠层结构的保护结构，所述保护结构包括绝缘材料；

其中，形成所述保护结构的步骤包括：

在所述栅极导体上形成掩模层；

形成覆盖所述掩模层、所述栅极导体以及所述栅极电介质的氧化层；

形成覆盖所述氧化层的保护层；以及

采用氟基与氯基气体刻蚀所述掩模层、所述氧化层以及所述保护层，

其中，所述刻蚀在所述保护层形成侧墙形貌时停止，剩余所述掩模层、所述氧化层以及所述保护层构成所述保护结构。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，形成所述栅叠层结构的步骤包括：

形成覆盖所述碳纳米管的栅极电介质；

在所述栅极电介质上形成栅极导体；

对所述栅极导体进行图案化；

以及去除部分所述栅极电介质以暴露部分所述碳纳米管，

其中，所述栅极电介质包括IIIB族元素的氧化物，在图案化所述栅极导体时，所述栅极电介质作为停止层。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其中，所述栅极电介质的材料包括氧化钇。

4.根据权利要求2所述的制造方法，其中，所述图案化包括采用刻蚀工艺去除部分所述栅极导体，刻蚀剂包括氟基气体。

5.根据权利要求2所述的制造方法，其中，去除部分所述栅极电介质的步骤包括：

采用氯基气体将所述氧化物转变成氯化物；

以及将所述氯化物溶解于溶剂中。

6.根据权利要求1所述的制造方法，在形成所述电接触之后，还包括：

形成覆盖所述电接触与所述保护结构的层间介质层；

去除部分所述层间介质层与部分保护层以暴露所述栅极导体；以及

贯穿所述层间介质层形成与所述电接触接触的电连接结构。

7.根据权利要求1-6任一所述的制造方法，其中，所述导电材料包括钯、钪、钇、铝、钛、金、铂、钼、钾以及钙中的一种或组合。

8.一种晶体管，利用如权利要求1-7任一所述的制造方法形成。