[发明专利]半导体结构及其缺陷检测方法有效
| 申请号： | 201910710863.0 | 申请日： | 2019-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN112310043B | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 蔡清彦;黄凯斌;谈文毅 | 申请（专利权）人： | 联芯集成电路制造(厦门)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 361100 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体结构及其缺陷检测方法，其中该半导体结构包括芯片、多个第一图案以及至少三个开口。该些第一图案设置在该芯片上，且相互平行地沿着一第一方向间隔设置。该些开口则设置在该些第一图案上以截断该些图案，各该开口在该第一方向上分别具有等比例递增的尺寸，且该开口按照该等尺寸依序排列。在另一实施例中，该半导体结构另包括至少三个桥接结构，该些桥接结构设置在该些第一图案之间以连接任两相邻的该些第一图案。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 缺陷 检测 方法 | ||
【主权项】：
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