[发明专利]半导体结构及其缺陷检测方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

芯片；

多个第一图案，设置在该芯片上，该些第一图案相互平行地沿着第一方向间隔设置；以及

至少三个开口，设置在该些第一图案上以截断该些第一图案，各该开口在该第一方向上分别具有等比例递增的尺寸，且该些开口按照该等比例递增的尺寸依序排列。

2.依据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该些开口都形成在同一个该第一图案上。

3.依据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该些开口分别形成在不同的该第一图案上。

4.依据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，该些开口在垂直于该第一方向的第二方向上彼此对位。

5.依据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该些开口在垂直于该第一方向的第二方向上彼此错位。

6.依据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括多个第二图案，相互平行地沿着该第一方向间隔设置。

7.依据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该些开口的尺寸介于6纳米至50纳米之间。

8.一种半导体结构，其特征在于，包括：

芯片；

多个第一图案，设置在该芯片上，该些第一图案相互平行地沿着第一方向间隔设置；以及

至少三个桥接结构，设置在该些第一图案之间以连接任两相邻的该第一图案，各该桥接结构在该第一方向上分别具有等比例递增的尺寸，且该些桥接结构按照该等比例递增的尺寸依序排列。

9.依据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，该些桥接结构分别形成在不同的两相邻该第一图案之间。

10.依据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，该些桥接结构在垂直于该第一方向的第二方向上彼此错位。

11.依据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，该些桥接结构的尺寸介于6纳米至50纳米之间。

12.一种半导体结构的缺陷检测方法，其特征在于，包括：

在晶片上形成多个第一图案，该些第一图案相互平行地沿着第一方向间隔设置；

在该晶片上形成多个第二图案，该些第二图案相互平行地沿着该第一方向间隔设置，并设置于该些第一图案一侧；

在该晶片上形成至少三个微结构，其中，各该微结构在该第一方向上具有不同的尺寸，各该微结构的该不同的尺寸以等比例依序递增且依序排列，该些微结构位于该些第一图案所在的区域内；以及

以该些微结构作为检测依据对该晶片进行缺陷检验。

13.依据权利要求12所述的半导体结构的缺陷检测方法，其特征在于，还包括：

测量该些微结构的尺寸；

定位该些微结构的形成位置；以及

依据该些微结构的该尺寸与该形成位置进行对该晶片进行缺陷检验。

14.依据权利要求12所述的半导体结构的缺陷检测方法，其特征在于，各该微结构在垂直于该第一方向的第二方向上彼此错位排列。

15.依据权利要求12所述的半导体结构的缺陷检测方法，其特征在于，该些微结构包括形成在该些第一图案上的至少三个开口，以截断该些第一图案。

16.依据权利要求12所述的半导体结构的缺陷检测方法，其特征在于，该些微结构包括形成在该些第一图案之间的至少三个桥接结构，以连接任两相邻的该些第一图案。

17.依据权利要求12所述的半导体结构的缺陷检测方法，其特征在于，该些第一图案与该些第二图案都位于该晶片的主动管芯区内。