[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质在审
申请号: | 201910710017.9 | 申请日: | 2019-07-30 |
公开(公告)号: | CN110429049A | 公开(公告)日: | 2019-11-08 |
发明(设计)人: | 大桥直史;菊池俊之;松井俊;高崎唯史 | 申请(专利权)人: | 株式会社国际电气 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈伟;沈静 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质,使生产率提高。具有:加载端口,其载置多个收容有多个衬底的储存容器;能够收容衬底的多个处理室;搬送部,其将储存于储存容器的多个衬底分别向多个处理室搬送;运算部,其在从多个储存容器中的一个分别向多个处理室以规定顺序搬送多个衬底并对其进行处理、且在处理室内无衬底的状态下进行了处理时,计算与处理室对应的数据表的第一计数数据;存储数据表的存储部;和控制部,其对具有数据表中最大的第一计数数据的处理室的表赋予第一搬送标志数据,在搬送储存于一个储存容器的下一个储存容器内的多个衬底时,以基于第一搬送标志数据以规定顺序搬送多个衬底的方式控制搬送部。 | ||
搜索关键词: | 衬底 储存容器 衬底处理装置 半导体器件 标志数据 计数数据 搬送部 收容 储存 方式控制 加载端口 存储部 运算部 载置 制造 存储 室内 赋予 | ||
【主权项】:
1.一种衬底处理装置,其特征在于,具有:加载端口,其载置多个收容有多个衬底的储存容器;多个处理室,其能够收容所述衬底;搬送部,其将储存于所述储存容器的多个衬底分别向所述多个处理室搬送;运算部,其在从所述多个储存容器中的一个分别向所述多个处理室以规定顺序搬送所述多个衬底并对其进行处理、且在所述处理室内无所述衬底的状态下进行了处理时,计算与该处理室对应的数据表的第一计数数据;存储部,其存储所述数据表;和控制部,其对具有所述数据表中最大的第一计数数据的处理室的数据表赋予第一搬送标志数据,并在搬送储存于所述一个储存容器的下一个储存容器内的多个衬底时,以基于该第一搬送标志数据以所述规定顺序搬送该多个衬底的方式控制所述搬送部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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