[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质在审
申请号: | 201910710017.9 | 申请日: | 2019-07-30 |
公开(公告)号: | CN110429049A | 公开(公告)日: | 2019-11-08 |
发明(设计)人: | 大桥直史;菊池俊之;松井俊;高崎唯史 | 申请(专利权)人: | 株式会社国际电气 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈伟;沈静 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 储存容器 衬底处理装置 半导体器件 标志数据 计数数据 搬送部 收容 储存 方式控制 加载端口 存储部 运算部 载置 制造 存储 室内 赋予 | ||
本发明提供衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质,使生产率提高。具有:加载端口,其载置多个收容有多个衬底的储存容器;能够收容衬底的多个处理室;搬送部,其将储存于储存容器的多个衬底分别向多个处理室搬送;运算部,其在从多个储存容器中的一个分别向多个处理室以规定顺序搬送多个衬底并对其进行处理、且在处理室内无衬底的状态下进行了处理时,计算与处理室对应的数据表的第一计数数据;存储数据表的存储部;和控制部,其对具有数据表中最大的第一计数数据的处理室的表赋予第一搬送标志数据,在搬送储存于一个储存容器的下一个储存容器内的多个衬底时,以基于第一搬送标志数据以规定顺序搬送多个衬底的方式控制搬送部。
技术领域
本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。
背景技术
在近年的半导体器件的制造中,小批量多品种化正在发展。在该小批量多品种的制造中期望提高生产率。作为响应该要求的方法之一,有在具有多个处理室的单片式装置中使生产率提高的方法。(例如参照专利文献1)
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利第6089082号公报
发明内容
存在由于设于处理装置的处理室的个数与处理片数不一致从而导致生产率下降的课题。
本发明提供一种能够使具有多个处理室的处理装置的生产率提高的技术。
根据一个方案提供一种技术,具有:加载端口,其载置多个收容有多个衬底的储存容器;多个处理室,其能够收容衬底;搬送部,其将储存于储存容器的多个衬底分别向多个处理室搬送;运算部,其在从多个储存容器中的一个分别向多个处理室以规定顺序搬送多个衬底并对其进行处理、且在处理室内无衬底的状态下进行了处理时,计算与处理室对应的数据表的第一计数数据;存储部,其存储数据表;和控制部,其对具有数据表中最大的第一计数数据的处理室的表赋予第一搬送标志数据,并在搬送储存于一个储存容器的下一个储存容器内的多个衬底时,以基于第一搬送标志数据以规定顺序搬送多个衬底的方式控制搬送部。
发明效果
根据本发明的技术,能够使具有多个处理室的处理装置中的生产率提高。
附图说明
图1是一个实施方式的衬底处理系统的横截面的概略图。
图2是一个实施方式的衬底处理系统的纵截面的概略图。
图3是一个实施方式的衬底处理系统的真空搬送机器人的概略图。
图4是一个实施方式的衬底处理装置的概略结构图。
图5是一个实施方式的腔室的纵截面的概略图。
图6是一个实施方式的衬底处理系统的控制器的概略结构图。
图7是一个实施方式的第一衬底处理工序的流程图。
图8是一个实施方式的第一衬底处理工序的顺序图。
图9是表示基于以往的搬送顺序的累计处理时间的图。
图10是表示基于以往的搬送顺序的累计处理时间的图。
图11是一个实施方式的衬底搬送流程图。
图12是一个实施方式的第一计数数据的数据表例。
图13是一个实施方式的第一计数数据和搬送标志的例子。
图14是一个实施方式的第三计数数据和搬送标志的例子。
图15是一个实施方式的膜厚表例。
图16是一个实施方式的膜厚表例。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造