[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质

权利要求书

1.一种衬底处理装置，其特征在于，具有：

加载端口，其载置多个收容有多个衬底的储存容器；

多个处理室，其能够收容所述衬底；

搬送部，其将储存于所述储存容器的多个衬底分别向所述多个处理室搬送；

运算部，其在从所述多个储存容器中的一个分别向所述多个处理室以规定顺序搬送所述多个衬底并对其进行处理、且在所述处理室内无所述衬底的状态下进行了处理时，计算与该处理室对应的数据表的第一计数数据；

存储部，其存储所述数据表；和

控制部，其对具有所述数据表中最大的第一计数数据的处理室的数据表赋予第一搬送标志数据，并在搬送储存于所述一个储存容器的下一个储存容器内的多个衬底时，以基于该第一搬送标志数据以所述规定顺序搬送该多个衬底的方式控制所述搬送部。

2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，

所述运算部当在所述处理室内以有所述衬底的状态进行了处理时，计算与该处理室对应的数据表的第二计数数据，

所述控制部对与所述数据表中最大的第二计数数据对应的处理室的下一个处理室赋予第二搬送标志数据，并在搬送储存于所述一个储存容器的下一个储存容器内的多个衬底时，基于该第二搬送标志数据以所述规定顺序搬送该多个衬底。

3.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其特征在于，

所述存储部记录有膜厚表，该膜厚表记录有所述处理室内的各部分的膜厚数据，

所述控制部以基于所述膜厚表的数据来选择所述第一搬送标志数据和所述第二搬送标志数据中的某一个的方式控制所述运算部。

4.根据权利要求3所述的衬底处理装置，其特征在于，

在所述膜厚表中具有支承所述衬底的衬底支承部的膜厚数据，

所述控制部构成为在所述衬底支承部的膜厚数据超过了第一规定值的情况下选择所述第一搬送标志数据。

5.根据权利要求3所述的衬底处理装置，其特征在于，

所述膜厚表具有处理室壁面的膜厚数据，

所述控制部构成为在所述处理室壁面的膜厚数据超过了第二规定值的情况下选择所述第二搬送标志数据。

6.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具有以下工序：

将收容有多个衬底的多个储存容器载置到加载端口的工序；

从所述多个储存容器中的一个储存容器向能够收容所述衬底的处理室以规定顺序搬送多个衬底的工序；

在所述多个处理室内分别进行处理的工序；

当在所述进行处理的工序中以无所述衬底的状态进行了处理时，计算与该处理室对应的数据表的第一计数数据的工序；

存储所述数据表的工序；

对具有所述数据表中最大的第一计数数据的处理室的数据表赋予第一搬送标志数据的工序；以及

基于所述第一搬送标志以所述规定顺序搬送储存于所述一个储存容器的下一个储存容器内的多个衬底的工序。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

当在所述处理室内以有所述衬底的状态进行了处理时，计算与该处理室对应的数据表的第二计数数据，

半导体器件的制造方法所述还具有以下工序：

对与所述数据表中最大的第二计数数据对应的处理室的下一个处理室赋予第二搬送标志数据的工序；和

基于所述第二搬送标志数据以所述规定顺序搬送储存于所述一个储存容器的下一个储存容器内的多个衬底的工序。

8.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

还具有基于膜厚表的数据来选择所述第一搬送标志数据和所述第二搬送标志数据中的某一个的工序。

9.根据权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述膜厚表具有支承所述衬底的衬底支承部的膜厚数据，

所述半导体器件的制造方法还具有在所述衬底支承部的膜厚数据超过了第一规定值的情况下选择所述第一搬送标志数据的工序。