[发明专利]有源矩阵基板有效
申请号: | 201910694344.X | 申请日: | 2019-07-30 |
公开(公告)号: | CN110783346B | 公开(公告)日: | 2023-08-25 |
发明(设计)人: | 出岛芳夫 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人: | 权鲜枝;张艳凤 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种有源矩阵基板,在配置于显示区域的周边的周边区域具有排列有多个配线连接部的连接部形成区域,各配线连接部具有:下部连接部;有机绝缘层,其以与下部连接部接触的方式配置在下部连接部上,具有使下部连接部的一部分露出的至少1个开口部;以及上部连接部,其配置在有机绝缘层上和至少1个开口部内,在至少1个开口部内与下部连接部的一部分直接接触,有机绝缘层延伸设置到与连接部形成区域相邻的相邻区域,在相邻区域中,有机绝缘层具有以在从基板1的法线方向观看时与下部连接部不重叠的方式配置的多个虚设开口部,各虚设开口部使位于下部连接部的基板侧的基底层的一部分露出,上部连接部未配置在多个虚设开口部内。 | ||
搜索关键词: | 有源 矩阵 | ||
【主权项】:
1.一种有源矩阵基板,具备包含多个像素的显示区域和配置在上述显示区域的周边的周边区域,其特征在于,/n上述周边区域包含排列有多个配线连接部的连接部形成区域,/n上述多个配线连接部各自具有:/n下部连接部,其支撑于基板;/n有机绝缘层,其以与上述下部连接部接触的方式配置在上述下部连接部上,具有使上述下部连接部的一部分露出的至少1个开口部;以及/n上部连接部,其配置在上述有机绝缘层上和上述至少1个开口部内,在上述至少1个开口部内与上述下部连接部的上述一部分直接接触,/n上述有机绝缘层延伸设置到与上述连接部形成区域相邻的相邻区域,/n在上述相邻区域中,上述有机绝缘层具有多个虚设开口部,上述多个虚设开口部以在从上述基板的法线方向观看时与上述下部连接部不重叠的方式配置,上述多个虚设开口部各自使位于上述下部连接部的上述基板侧的基底层的一部分露出,/n上述上部连接部未配置在上述多个虚设开口部内。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的