[发明专利]有源矩阵基板有效
申请号: | 201910694344.X | 申请日: | 2019-07-30 |
公开(公告)号: | CN110783346B | 公开(公告)日: | 2023-08-25 |
发明(设计)人: | 出岛芳夫 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人: | 权鲜枝;张艳凤 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有源 矩阵 | ||
一种有源矩阵基板,在配置于显示区域的周边的周边区域具有排列有多个配线连接部的连接部形成区域,各配线连接部具有:下部连接部;有机绝缘层,其以与下部连接部接触的方式配置在下部连接部上,具有使下部连接部的一部分露出的至少1个开口部;以及上部连接部,其配置在有机绝缘层上和至少1个开口部内,在至少1个开口部内与下部连接部的一部分直接接触,有机绝缘层延伸设置到与连接部形成区域相邻的相邻区域,在相邻区域中,有机绝缘层具有以在从基板1的法线方向观看时与下部连接部不重叠的方式配置的多个虚设开口部,各虚设开口部使位于下部连接部的基板侧的基底层的一部分露出,上部连接部未配置在多个虚设开口部内。
技术领域
本发明涉及有源矩阵基板。
背景技术
已广泛使用具备按每个像素设置有开关元件的有源矩阵基板的显示装置。具备薄膜晶体管(Thin Film Transistor:以下称为“TFT”)作为开关元件的有源矩阵基板被称为TFT基板。此外,在本说明书中,有时将与显示装置的像素对应的TFT基板的部分也称为像素。也已提出使用氧化物半导体来代替非晶质硅、多晶硅作为TFT的活性层的材料。
在有源矩阵基板的周边区域(显示区域以外的区域),配置有用于将隔着层间绝缘层配置的2个导电层连接(或者转接)的连接部(以下称为“配线连接部”)。在配线连接部中,例如,层间绝缘层的上层的导电层(上部导电层)与下层的导电层(下部导电层)在形成于层间绝缘层的开口部内连接(例如参照专利文献1)。
专利文献1:国际公开第2013/105537号
发明内容
在有源矩阵基板中,有时使用有机绝缘膜等平坦化层作为层间绝缘层。在该情况下,在配线连接部中,例如,在形成于有机绝缘膜的开口部内,上部导电层与下部导电层被连接。
然而,本申请的发明者经研究发现,在这种配线连接部中,在开口部的边缘有机绝缘膜有可能会浮起(以下称为“膜浮起”)。详细后述。
当在配线连接部中产生有机绝缘膜的膜浮起时,有时会发生连接不良、有机绝缘膜的剥离所引起的起尘等不良,可能成为致使有源矩阵基板的产量、可靠性降低的重要因素。
本发明的一实施方式是鉴于上述情况而完成的,其目的在于抑制配线连接部的连接不良,提高有源矩阵基板的可靠性。
本说明书公开了以下项目中记载的有源矩阵基板。
[项目1]一种有源矩阵基板,具备包含多个像素的显示区域和配置在上述显示区域的周边的周边区域,
上述周边区域包含排列有多个配线连接部的连接部形成区域,
上述多个配线连接部各自具有:
下部连接部,其支撑于基板;
有机绝缘层,其以与上述下部连接部接触的方式配置在上述下部连接部上,具有使上述下部连接部的一部分露出的至少1个开口部;以及
上部连接部,其配置在上述有机绝缘层上和上述至少1个开口部内,在上述至少1个开口部内与上述下部连接部的上述一部分直接接触,
上述有机绝缘层延伸设置到与上述连接部形成区域相邻的相邻区域,
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的