[发明专利]有源矩阵基板有效
申请号: | 201910694344.X | 申请日: | 2019-07-30 |
公开(公告)号: | CN110783346B | 公开(公告)日: | 2023-08-25 |
发明(设计)人: | 出岛芳夫 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人: | 权鲜枝;张艳凤 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有源 矩阵 | ||
1.一种有源矩阵基板,具备包含多个像素的显示区域和配置在上述显示区域的周边的周边区域,其特征在于,
上述周边区域包含排列有多个配线连接部的连接部形成区域,
上述多个配线连接部各自具有:
下部连接部,其支撑于基板;
有机绝缘层,其以与上述下部连接部接触的方式配置在上述下部连接部上,具有使上述下部连接部的一部分露出的至少1个开口部;以及
上部连接部,其配置在上述有机绝缘层上和上述至少1个开口部内,在上述至少1个开口部内与上述下部连接部的上述一部分直接接触,
上述有机绝缘层延伸设置到与上述连接部形成区域相邻的相邻区域,
在上述相邻区域中,上述有机绝缘层具有多个虚设开口部,上述多个虚设开口部以在从上述基板的法线方向观看时与上述下部连接部不重叠的方式配置,上述多个虚设开口部各自使位于上述下部连接部的上述基板侧的基底层的一部分露出,
上述上部连接部未配置在上述多个虚设开口部内。
2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板,
上述多个虚设开口部的一部分配置在上述连接部形成区域的上述显示区域侧,另一部分配置在上述连接部形成区域的与上述显示区域相反的一侧。
3.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板,
上述多个虚设开口部以包围上述连接部形成区域的方式相互空开间隔排列。
4.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板,
在上述连接部形成区域和上述相邻区域中,还具有覆盖上述有机绝缘层和上述上部连接部的无机绝缘层,
上述无机绝缘层在上述多个虚设开口部中的每个虚设开口部与上述基底层的上述一部分直接接触。
5.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板,
当从上述基板的法线方向观看时,上述多个配线连接部之中的每一个配线连接部中的上述有机绝缘层的上述至少1个开口部包含第1开口区域和第2开口区域以及将上述第1开口区域和上述第2开口区域连接的第3开口区域,上述第3开口区域的沿着与上述第3开口区域在上述第1开口区域与上述第2开口区域之间延伸的方向正交的正交方向的最大宽度比上述第1开口区域和上述第2开口区域的沿着上述正交方向的最大宽度小。
6.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板,
还包含在第1方向上延伸的多个下部配线和在上述第1方向上延伸的多个上部配线,
上述多个配线连接部在与上述第1方向正交的第2方向上排列,
上述上部连接部连接到上述多个上部配线中的对应的1个上部配线,
上述下部连接部连接到上述多个下部配线中的对应的1个下部配线。
7.根据权利要求6所述的有源矩阵基板,
上述多个下部配线在上述第2方向上空开间隔排列,
上述多个上部配线在上述第2方向上空开间隔排列,
上述多个虚设开口部的一部分配置在上述多个下部配线的上述间隔中,另一部分配置在上述多个上部配线的上述间隔中。
8.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板,
在上述连接部形成区域中,上述多个配线连接部中的上述有机绝缘层的上述至少1个开口部排列为交错状。
9.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板,
当从上述基板的法线方向观看时,上述多个配线连接部之中的每一个配线连接部中的上述有机绝缘层的上述至少1个开口部的周缘仅包括曲线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的