[发明专利]铌酸锂调制器的封装结构及应用、光电子器件在审

专利信息
申请号: 201910686639.2 申请日: 2019-07-26
公开(公告)号: CN110376768A 公开(公告)日: 2019-10-25
发明(设计)人: 李金野;刘建国;张志柯;戴双兴 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: G02F1/03 分类号: G02F1/03;G02F1/035
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 吴梦圆
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种铌酸锂调制器的封装结构及应用、光电子器件,该封装结构包括管壳,起支撑和保护作用;光波导芯片,其设置在管壳内,光波导芯片上设有至少一个入光口和至少一个出光口;以及缓冲粘结单元,其设置在光波导芯片与管壳之间,起粘结和缓冲管壳与光波导芯片的作用。本发明在铌酸锂光波导芯片与管壳凹槽之间制备了一层苯并环丁烯(BCB)材料,同时作为粘结层和应力缓冲层,提高了铌酸锂调制器的光波导芯片在变温环境下的可靠性,结构简单,效果好。
搜索关键词: 光波导芯片 管壳 铌酸锂调制器 封装结构 光电子器件 铌酸锂光波导芯片 苯并环丁烯 应力缓冲层 粘结单元 出光口 入光口 粘结层 变温 冲管 缓冲 粘结 制备 应用 支撑
【主权项】:
1.一种调制器的封装结构,包括:管壳,起支撑和保护作用;光波导芯片,其设置在管壳内,光波导芯片上设有至少一个入光口和至少一个出光口;以及缓冲粘结单元,其设置在光波导芯片与管壳之间,起粘结和/或缓冲管壳与光波导芯片的作用。
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