[发明专利]铌酸锂调制器的封装结构及应用、光电子器件

权利要求书

1.一种调制器的封装结构，包括：

管壳，起支撑和保护作用；

光波导芯片，其设置在管壳内，光波导芯片上设有至少一个入光口和至少一个出光口；以及

缓冲粘结单元，其设置在光波导芯片与管壳之间，起粘结和/或缓冲管壳与光波导芯片的作用。

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，

所述缓冲粘结单元包括：

凸台，其设置在管壳底部；

凹槽，其设置在凸台上；以及

缓冲层，其设置在凹槽内，起粘结和/或缓冲管壳与光波导芯片的作用；

作为优选，所述缓冲层采用的材料包括苯并环丁烯；

作为优选，所述凹槽的长度和宽度均大于光波导芯片的长度和宽度；

作为优选，所述凹槽的形状包括矩形。

3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，

所述调制器包括至少一个第一保偏玻璃毛细管光纤和至少一个第二保偏玻璃毛细管光纤；第一保偏玻璃毛细管光纤和第二保偏玻璃毛细管光纤分别与光波导芯片的入光口和出光口连接。

4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，

所述第一保偏玻璃毛细管光纤和第二保偏玻璃毛细管光纤分别与光波导芯片的两端通过连接胶连接；

作为优选，所述连接胶的折射率与第一保偏玻璃毛细管光纤的折射率、第二保偏玻璃毛细管光纤的折射率、光波导芯片的折射率均匹配。

5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，

所述光波导芯片两端面、第一保偏玻璃毛细管光纤端面、第二保偏玻璃毛细管光纤端面均为耦合斜面；

作为优选，所述耦合斜面的倾斜角度为5～8度；

作为优选，所述耦合斜面是通过研磨抛光形成的。

6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，

所述调制器包括均起保护作用的第一尾纤保护套管和第二尾纤保护套管；第一尾纤保护套管和第二尾纤保护套管分别连接在光波导芯片的两端；第一尾纤保护套管套装在第一保偏玻璃毛细管光纤上；第二尾纤保护套管套装在第二保偏玻璃毛细管光纤上。

7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，

所述调制器包括盖板，所述盖板设置在管壳顶部；

作为优选，所述光波导芯片包括强度调制器芯片、相位调制器芯片或调制器阵列芯片；

作为优选，所述调制器的工作温度为-55℃～+80℃。

8.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，

所述的调制器包括铌酸锂调制器。

9.一种光电子器件，内含有如权利要求1-8任一项所述的封装结构。

10.如权利要求1-8任一项所述的封装结构或如权利要求9所述的光电子器件在通信领域的应用。