[发明专利]MIP电容的制造方法在审
| 申请号： | 201910679659.7 | 申请日： | 2019-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN110491862A | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 李昆乐;李亮 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L21/28 |
| 代理公司： | 31211 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭四华<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种MIP电容的制造方法，包括步骤：形成第一多晶硅层；形成第二绝缘层；形成第三金属层；形成第一光刻胶图形定义出MIP电容的第一电极板的形成区域；对第三金属层进行刻蚀形成第一电极板；去除第一光刻胶图形；形成第二光刻胶图形定义出MIP电容的第二电极板的形成区域，在俯视面上，第一电极板的边缘都位于第二电极板的形成区域内部；依次对第二绝缘层和所述第一多晶硅层进行刻蚀并分别形成电极间介质层和第二电极板；之后，去除第二光刻胶图形。本发明能防止第一电极板的边缘处的电极板间介质层变薄而使MIP电容在边缘处提前击穿的情形发生，能使MIP电容的击穿电压稳定，提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 电极板 电容 光刻胶图形 绝缘层 多晶硅层 边缘处 介质层 金属层 刻蚀 去除 产品良率 击穿电压 区域内部 电极 变薄 击穿 俯视 制造 | ||
【主权项】：
1.一种MIP电容的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤一、在形成有场氧化层的半导体衬底上形成第一多晶硅层；所述MIP电容的形成区域位于所述场氧化层上；/n步骤二、形成第二绝缘层；/n步骤三、在所述第二绝缘层表面形成第三金属层；/n步骤四、进行第一次光刻形成第一光刻胶图形，所述第一光刻胶图形定义出所述MIP电容的第一电极板的形成区域；/n步骤五、以所述第一光刻胶图形为掩模对所述第三金属层进行刻蚀形成所述第一电极板；/n步骤六、去除所述第一光刻胶图形；/n步骤七、进行第二次光刻形成第二光刻胶图形，所述第二光刻胶图形定义出所述MIP电容的第二电极板的形成区域，在俯视面上，所述第一电极板的边缘都位于所述第二电极板的形成区域内部；/n步骤八、以所述第二光刻胶图形为掩模依次对所述第二绝缘层和所述第一多晶硅层进行刻蚀，由刻蚀后的所述第二绝缘层组成所述MIP电容的电极间介质层，由刻蚀后的所述第一多晶硅层组成所述第二电极板；之后，去除所述第二光刻胶图形。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910679659.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种抗辐射加固衬底结构
- 下一篇：半导体封装结构
