[发明专利]MIP电容的制造方法在审
| 申请号： | 201910679659.7 | 申请日： | 2019-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN110491862A | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 李昆乐;李亮 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L21/28 |
| 代理公司： | 31211 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭四华<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电极板 电容 光刻胶图形 绝缘层 多晶硅层 边缘处 介质层 金属层 刻蚀 去除 产品良率 击穿电压 区域内部 电极 变薄 击穿 俯视 制造 | ||
1.一种MIP电容的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、在形成有场氧化层的半导体衬底上形成第一多晶硅层；所述MIP电容的形成区域位于所述场氧化层上；
步骤二、形成第二绝缘层；
步骤三、在所述第二绝缘层表面形成第三金属层；
步骤四、进行第一次光刻形成第一光刻胶图形，所述第一光刻胶图形定义出所述MIP电容的第一电极板的形成区域；
步骤五、以所述第一光刻胶图形为掩模对所述第三金属层进行刻蚀形成所述第一电极板；
步骤六、去除所述第一光刻胶图形；
步骤七、进行第二次光刻形成第二光刻胶图形，所述第二光刻胶图形定义出所述MIP电容的第二电极板的形成区域，在俯视面上，所述第一电极板的边缘都位于所述第二电极板的形成区域内部；
步骤八、以所述第二光刻胶图形为掩模依次对所述第二绝缘层和所述第一多晶硅层进行刻蚀，由刻蚀后的所述第二绝缘层组成所述MIP电容的电极间介质层，由刻蚀后的所述第一多晶硅层组成所述第二电极板；之后，去除所述第二光刻胶图形。
2.如权利要求1所述的MIP电容的制造方法，其特征在于：所述半导体衬底为硅衬底。
3.如权利要求2所述的MIP电容的制造方法，其特征在于：所述场氧化层采用浅沟槽隔离工艺形成；或者，所述场氧化层采用局部场氧隔离工艺形成。
4.如权利要求1所述的MIP电容的制造方法，其特征在于：步骤一中在形成所述第一多晶硅层之后还包括在所述第一多晶硅层表面形成第一金属硅化物的步骤。
5.如权利要求4所述的MIP电容的制造方法，其特征在于：所述第一金属硅化物的材料为硅化钨。
6.如权利要求5所述的MIP电容的制造方法，其特征在于：所述第三金属层的材料为硅化钨。
7.如权利要求5所述的MIP电容的制造方法，其特征在于：所述第一金属硅化物的厚度为
8.如权利要求6所述的MIP电容的制造方法，其特征在于：所述第三金属层的厚度为
9.如权利要求2所述的MIP电容的制造方法，其特征在于：所述第二绝缘层的材料为氧化层。
10.如权利要求9所述的MIP电容的制造方法，其特征在于：所述第二绝缘层的厚度为
11.如权利要求1所述的MIP电容的制造方法，其特征在于：步骤一中所述场氧化层隔离出有源区，在所述有源区中形成有MOS晶体管。
12.如权利要求11所述的MIP电容的制造方法，其特征在于：步骤七中的所述第二光刻胶图形同时定义出所述MOS晶体管的栅极结构的形成区域，步骤八找那个刻蚀工艺同时形成所述MOS晶体管的所述栅极结构。
13.如权利要求12所述的MIP电容的制造方法，其特征在于：所述MOS晶体管的所述栅极结构包括依次叠加的栅介质层和多晶硅栅，所述多晶硅栅由刻蚀后的所述第一多晶硅层组成。
14.如权利要求13所述的MIP电容的制造方法，其特征在于：所述栅介质层的材料包括氧化物、氮氧化物或高介电常数材料。
15.如权利要求13所述的MIP电容的制造方法，其特征在于：所述MOS晶体管包括LDMOS。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910679659.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种抗辐射加固衬底结构
- 下一篇：半导体封装结构
