[发明专利]MIP电容的制造方法

说明书

本发明公开了一种MIP电容的制造方法，包括步骤：形成第一多晶硅层；形成第二绝缘层；形成第三金属层；形成第一光刻胶图形定义出MIP电容的第一电极板的形成区域；对第三金属层进行刻蚀形成第一电极板；去除第一光刻胶图形；形成第二光刻胶图形定义出MIP电容的第二电极板的形成区域，在俯视面上，第一电极板的边缘都位于第二电极板的形成区域内部；依次对第二绝缘层和所述第一多晶硅层进行刻蚀并分别形成电极间介质层和第二电极板；之后，去除第二光刻胶图形。本发明能防止第一电极板的边缘处的电极板间介质层变薄而使MIP电容在边缘处提前击穿的情形发生，能使MIP电容的击穿电压稳定，提高产品良率。

技术领域

本发明涉及一种半导体集成电路制造方法，特别是涉及一种MIP电容的制造方法。

背景技术

如图1A至图1E所示，是现有MIP电容的制造方法的各步骤中的器件结构示意图；现有MIP电容的制造方法包括如下步骤：

步骤一、如图1A所示，在形成有场氧化层101的半导体衬底上形成第一多晶硅层102；所述MIP电容的形成区域位于所述场氧化层101上。

通常，所述半导体衬底为硅衬底。

在形成所述第一多晶硅层102之后还包括在所述第一多晶硅层102表面形成第一金属硅化物103的步骤。

所述第一金属硅化物103的材料通常采用硅化钨。

所述场氧化层101采用浅沟槽隔离工艺形成；或者，所述场氧化层101采用局部场氧隔离工艺形成。

所述场氧化层101隔离出有源区，在所述有源区中形成有MOS晶体管。

步骤二、如图1A所示，形成第二绝缘层104。

通常，所述第二绝缘层104的材料为氧化层。

步骤三、如图1A所示，在所述第二绝缘层104表面形成第三金属层105。

通常，所述第三金属层105的材料为硅化钨。

步骤四、如图1B所示，进行第一次光刻形成第一光刻胶图形106，所述第一光刻胶图形106定义出所述MIP电容的第一电极板105a的形成区域。

步骤五、如图1C所示，以所述第一光刻胶图形106为掩模对所述第三金属层105 进行第一次刻蚀形成所述第一电极板105a。第一次刻蚀工艺即对所述第三金属层105 的刻蚀工艺通常对应于DRP工艺。

步骤六、如图1D所示，以所述第一光刻胶图形106为掩模接着对所述第二绝缘层104进行第二次刻蚀形成所述MIP电容的电极间介质层104a。第二次刻蚀工艺即对所述第二绝缘层104的刻蚀工艺通常对应于DRE工艺。

之后，去除所述第一光刻胶图形106。

步骤七、进行第二次光刻形成第二光刻胶图形，所述第二光刻胶图形定义出所述MIP电容的第二电极板的形成区域。

所述第二光刻胶图形同时定义出所述MOS晶体管的栅极结构的形成区域。

步骤八、如图1E所示，以所述第二光刻胶图形为掩模对所述第一金属硅化物103和第一多晶硅层102进行第三次刻蚀形成由刻蚀后的所述第一多晶硅层102a和所述第一金属硅化物103a叠加形成的所述第二电极板；之后，去除所述第二光刻胶图形。

所述第三次刻蚀工艺同时形成所述MOS晶体管的所述栅极结构。

现有方法中，在完成步骤五的第一次刻蚀、步骤六的第二次刻蚀以及去除所述第一光刻胶图形106之后，容易在MIP电容的边缘处容易发生绝缘层即电极间介质层 104a厚度不够，如图1E中的虚线圈107所示，边缘107处容易先发生击穿，从而会导致MIP电容的击穿电压(BV)偏低，使产品良率降低。

发明内容