[发明专利]垂直存储器件有效
| 申请号： | 201910678901.9 | 申请日： | 2015-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN110416223B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 李昌炫 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B43/27 | 分类号： | H10B43/27;H01L21/336;H01L29/792 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了垂直存储器件。根据示例实施方式，一种垂直存储器件包括在下绝缘层上的低电阻层、在低电阻层上的沟道层、在沟道层上的多个垂直沟道、以及多个栅线。垂直沟道在相对于沟道层的顶表面垂直的第一方向上延伸。栅线围绕垂直沟道的外侧壁，并且在第一方向上层叠并且彼此间隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种垂直存储器件，包括：在下部衬底上的周边电路；在所述下部衬底上覆盖所述周边电路的下绝缘层；在所述下绝缘层上的第一沟道层；在所述第一沟道层上的第二沟道层；插置在所述第一沟道层和所述第二沟道层之间的绝缘层；在所述第一沟道层上的多个垂直沟道，所述垂直沟道在相对于所述第一沟道层的顶表面垂直的第一方向上延伸；以及多个栅线，所述栅线围绕所述垂直沟道的外侧壁，所述栅线在所述第二沟道层上在所述第一方向上堆叠并且在所述第一方向上彼此间隔开。
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