[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201910676386.0 | 申请日： | 2019-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN111584631A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 井野匡贵;加藤浩朗 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘英华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据一个实施方式，半导体装置具有第1电极、第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第1导电型的第3半导体区域、栅极电极、第1导电层及第2电极。第1半导体区域设置于第1电极的上方。第2半导体区域设置于第1半导体区域的上方。第3半导体区域设置于第2半导体区域的上方。栅极电极与第1半导体区域的一部分、第2半导体区域及第3半导体区域，隔着栅极绝缘层而对置。第1导电层隔着第1绝缘层而设置于第1半导体区域中。在第1导电层与第2半导体区域之间及第1导电层与栅极电极之间，设置第1半导体区域的一部分。第2电极与第2半导体区域、第3半导体区域及第1导电层电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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