[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

第1电极；

第1导电型的第1半导体区域，设置于上述第1电极的上方，与上述第1电极电连接；

第2导电型的第2半导体区域，设置于上述第1半导体区域的上方；

第1导电型的第3半导体区域，选择性地设置于上述第2半导体区域的上方；

栅极电极，在与从上述第1半导体区域朝向上述第2半导体区域的第2方向垂直的第1方向上，隔着栅极绝缘膜而与上述第1半导体区域的一部分、上述第2半导体区域及上述第3半导体区域对置；

第1导电层，隔着第1绝缘层而设置于上述第1半导体区域中，在上述第1导电层与上述第2半导体区域之间及上述第1导电层与上述栅极电极之间设置有上述第1半导体区域的另一部分；以及

第2电极，设置于上述第2半导体区域、上述第3半导体区域及上述栅极电极的上方，与上述第2半导体区域、上述第3半导体区域及上述第1导电层电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

上述第1导电层与上述第2半导体区域之间的上述第2方向上的距离，比上述第1导电层与上述第1电极之间的上述第2方向上的距离短。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，

上述栅极电极及上述第1导电层，沿着与上述第2方向及上述第1方向垂直的第3方向延伸，

上述第1导电层的至少一部分位于上述栅极电极的正下方。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，具备：

在上述第1方向上彼此分离的多个上述栅极电极；以及

在上述第1方向上彼此分离的多个上述第1导电层，

相邻的上述栅极电极彼此之间的上述第1方向上的距离，比相邻的上述第1导电层彼此之间的上述第1方向上的距离短。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，具备：

在上述第1方向上彼此分离的多个上述栅极电极；以及

在与上述第2方向垂直且与上述第1方向交叉的第3方向上彼此分离的多个上述第1导电层，

相邻的上述栅极电极彼此之间的上述第1方向上的距离，比相邻的上述第1导电层彼此之间的上述第3方向上的距离短。

6.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，

还具备隔着第2绝缘层设置于上述第1半导体区域中的第2导电层，

上述第2导电层与上述第1导电层电连接，

上述第2导电层的上述第2方向上的长度，比上述第1导电层的上述第2方向上的长度长，

上述第2导电层与上述第2电极接触。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，

上述第2导电层包括第1导电部分、及设置于上述第1导电部分的上方的第2导电部分，

上述第2导电部分的上述第1方向上的长度，比上述第1导电部分的上述第1方向上的长度长，

上述第2导电部分与上述第2电极接触。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，

上述第1导电部分的上述第1方向上的长度，比上述第1导电层的上述第1方向上的长度长。

9.根据权利要求6所述的半导体装置，

上述第2导电层的下端，与上述第1导电层的下端相比位于靠下方。