[发明专利]薄膜晶体管基板和薄膜晶体管基板的制造方法

摘要

一种薄膜晶体管基板和薄膜晶体管基板的制造方法，抑制由第2金属膜的蚀刻引起的缺陷的发生。阵列基板具备：半导体膜；第1绝缘膜，其配置于半导体膜的上层侧；第1金属膜，其配置于第1绝缘膜的上层侧；第2绝缘膜，其配置于第1金属膜的上层侧；第2金属膜，其配置于第2绝缘膜的上层侧；源极配线，其包括第2金属膜；栅极电极，其包括第1金属膜；沟道区域，其包括半导体膜的一部分，以与栅极电极重叠的方式配置；源极区域，其是将半导体膜的一部分低电阻化而成的，通过至少在第2绝缘膜开口形成的接触孔连接到源极配线；漏极区域，其是将半导体膜的一部分低电阻化而成的；及像素电极，其是将半导体膜的一部分低电阻化而成的，与漏极区域相连。

主权项

1.一种薄膜晶体管基板，其特征在于，具备：/n半导体膜；/n第1绝缘膜，其配置于上述半导体膜的上层侧；/n第1金属膜，其配置于上述第1绝缘膜的上层侧；/n第2绝缘膜，其配置于上述第1金属膜的上层侧；/n第2金属膜，其配置于上述第2绝缘膜的上层侧；/n源极配线，其包括上述第2金属膜；/n栅极电极，其构成薄膜晶体管，包括上述第1金属膜；/n沟道区域，其构成上述薄膜晶体管，包括上述半导体膜的一部分，以与上述栅极电极重叠的方式配置；/n源极区域，其构成上述薄膜晶体管，是将上述半导体膜的一部分低电阻化而成的，与上述沟道区域相连，并且通过至少在上述第2绝缘膜开口形成的接触孔连接到上述源极配线；/n漏极区域，其构成上述薄膜晶体管，是将上述半导体膜的一部分低电阻化而成的，从与上述源极区域侧相反的一侧与上述沟道区域相连；以及/n像素电极，其是将上述半导体膜的一部分低电阻化而成的，与上述漏极区域相连。/n