[发明专利]薄膜晶体管基板和薄膜晶体管基板的制造方法

说明书

一种薄膜晶体管基板和薄膜晶体管基板的制造方法，抑制由第2金属膜的蚀刻引起的缺陷的发生。阵列基板具备：半导体膜；第1绝缘膜，其配置于半导体膜的上层侧；第1金属膜，其配置于第1绝缘膜的上层侧；第2绝缘膜，其配置于第1金属膜的上层侧；第2金属膜，其配置于第2绝缘膜的上层侧；源极配线，其包括第2金属膜；栅极电极，其包括第1金属膜；沟道区域，其包括半导体膜的一部分，以与栅极电极重叠的方式配置；源极区域，其是将半导体膜的一部分低电阻化而成的，通过至少在第2绝缘膜开口形成的接触孔连接到源极配线；漏极区域，其是将半导体膜的一部分低电阻化而成的；及像素电极，其是将半导体膜的一部分低电阻化而成的，与漏极区域相连。

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管基板和薄膜晶体管基板的制造方法。

背景技术

以往，作为液晶显示装置所具备的薄膜晶体管基板的一例，已知下述专利文献1所记载的薄膜晶体管基板。该专利文献1所记载的薄膜晶体管基板在基板上的像素区域中依次层叠透明氧化物层、绝缘膜、导电层，上述导电层具有与栅极信号线连接的薄膜晶体管的栅极电极，上述透明氧化物层的至少除了上述栅极电极的正下方的沟道区域部以外的其它区域被导电体化，由该导电体化的部分构成了源极信号线、连接到该源极信号线的上述薄膜晶体管的源极区域部、像素电极、连接到该像素电极的上述薄膜晶体管的漏极区域部。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开2008-175842号公报

发明内容

发明要解决的问题

在上述专利文献1所记载的薄膜晶体管基板中，记载了通过对在透明氧化物层上直接形成的金属膜进行蚀刻从而形成源极信号线的构成。但是，在该构成中，若在对透明氧化物层上的金属膜进行蚀刻时产生膜残留，则有可能由于残留有金属膜的部分而产生例如像素电极与源极信号线发生短路等不良。另外，在对透明氧化物层上的金属膜进行蚀刻时，透明氧化物层也有可能被过蚀刻。

本发明是基于上述这种情况而完成的，其目的在于抑制由第2金属膜的蚀刻引起的缺陷的发生。

用于解决问题的方案

(1)本发明的薄膜晶体管基板的一实施方式具备：半导体膜；第1绝缘膜，其配置于上述半导体膜的上层侧；第1金属膜，其配置于上述第1绝缘膜的上层侧；第2绝缘膜，其配置于上述第1金属膜的上层侧；第2金属膜，其配置于上述第2绝缘膜的上层侧；源极配线，其包括上述第2金属膜；栅极电极，其构成薄膜晶体管，包括上述第1金属膜；沟道区域，其构成上述薄膜晶体管，包括上述半导体膜的一部分，以与上述栅极电极重叠的方式配置；源极区域，其构成上述薄膜晶体管，是将上述半导体膜的一部分低电阻化而成的，与上述沟道区域相连，并且通过至少在上述第2绝缘膜开口形成的接触孔连接到上述源极配线；漏极区域，其构成上述薄膜晶体管，是将上述半导体膜的一部分低电阻化而成的，从与上述源极区域侧相反的一侧与上述沟道区域相连；以及像素电极，其是将上述半导体膜的一部分低电阻化而成的，与上述漏极区域相连。

(2)另外，本发明的薄膜晶体管基板的某实施方式除了上述(1)的构成以外，具备：下层侧绝缘膜，其配置于上述半导体膜的下层侧；下层侧金属膜，其配置于上述下层侧绝缘膜的下层侧；以及遮光部，其包括上述下层侧金属膜，以至少与上述沟道区域重叠的方式配置。

(3)另外，本发明的薄膜晶体管基板的某实施方式除了上述(2)的构成以外，上述遮光部被设为下层侧栅极电极。