[发明专利]薄膜晶体管基板和薄膜晶体管基板的制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板，其特征在于，具备：

半导体膜；

第1绝缘膜，其配置于上述半导体膜的上层侧；

第1金属膜，其配置于上述第1绝缘膜的上层侧；

第2绝缘膜，其配置于上述第1金属膜的上层侧；

第2金属膜，其配置于上述第2绝缘膜的上层侧；

源极配线，其包括上述第2金属膜；

栅极电极，其构成薄膜晶体管，包括上述第1金属膜；

沟道区域，其构成上述薄膜晶体管，包括上述半导体膜的一部分，以与上述栅极电极重叠的方式配置；

源极区域，其构成上述薄膜晶体管，是将上述半导体膜的一部分低电阻化而成的，与上述沟道区域相连，并且通过至少在上述第2绝缘膜开口形成的接触孔连接到上述源极配线；

漏极区域，其构成上述薄膜晶体管，是将上述半导体膜的一部分低电阻化而成的，从与上述源极区域侧相反的一侧与上述沟道区域相连；以及

像素电极，其是将上述半导体膜的一部分低电阻化而成的，与上述漏极区域相连。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，具备：

下层侧绝缘膜，其配置于上述半导体膜的下层侧；

下层侧金属膜，其配置于上述下层侧绝缘膜的下层侧；以及

遮光部，其包括上述下层侧金属膜，以至少与上述沟道区域重叠的方式配置。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管基板，

上述遮光部被设为下层侧栅极电极。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管基板，具备：

电极间连接部，其包括上述第2金属膜，通过在上述第2绝缘膜开口形成的第1电极间接触孔和至少在上述下层侧绝缘膜及上述第2绝缘膜开口形成的第2电极间接触孔分别连接到上述栅极电极和上述下层侧栅极电极；以及

栅极配线，其包括上述下层侧金属膜，与上述下层侧栅极电极相连。

5.根据权利要求1至权利要求3中的任意一项所述的薄膜晶体管基板，

具备栅极配线，上述栅极配线包括上述第1金属膜，与上述栅极电极相连。

6.根据权利要求1至权利要求4中的任意一项所述的薄膜晶体管基板，

具备辅助源极配线，上述辅助源极配线是将上述半导体膜的一部分低电阻化而成的，与上述源极区域相连，并且以至少一部分与上述源极配线重叠的方式配置。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管基板，

上述源极配线与上述辅助源极配线相比宽度较窄。

8.根据权利要求1、权利要求2、权利要求3、权利要求4、权利要求7中的任意一项所述的薄膜晶体管基板，

上述第2绝缘膜以至少覆盖上述漏极区域和上述像素电极的方式配置。

9.根据权利要求1、权利要求2、权利要求3、权利要求4、权利要求7中的任意一项所述的薄膜晶体管基板，

上述第2绝缘膜至少包含硅氧化物，形成为虽然至少与上述源极区域和上述漏极区域中的与上述沟道区域相邻的部分分别重叠，但是与上述漏极区域中的与上述像素电极相邻的部分及上述像素电极不重叠。

10.根据权利要求1、权利要求2、权利要求3、权利要求4、权利要求7中的任意一项所述的薄膜晶体管基板，

上述第1绝缘膜选择性地配置于与上述第1金属膜重叠的范围。

11.根据权利要求1、权利要求2、权利要求3、权利要求4、权利要求7中的任意一项所述的薄膜晶体管基板，

上述半导体膜包括氧化物半导体。