[发明专利]芯片封装结构的制作方法、芯片封装结构及半导体器件有效
| 申请号： | 201910668083.4 | 申请日： | 2019-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN110544638B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 简永幸;矫云超 | 申请（专利权）人： | 厦门通富微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 成丹 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市中国（福建）自由贸易试验区*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开一种芯片封装结构的制作方法、芯片封装结构及半导体器件，该方法提供的晶圆中具有用于形成硅通孔的沟槽，所述沟槽的侧壁、底壁以及晶圆面上覆盖有金属层，所述金属层上覆盖有保护层；形成覆盖于每个所述沟槽底壁和至少部分侧壁上保护层的胶块，在后续功能凸点的制程能够对沟槽内的保护层形成防护，阻止蚀刻药液渗入，所述胶块的高度平齐于或低于所述晶圆面，不会影响功能凸点的平整性。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 封装 结构 制作方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括：/n提供晶圆，所述晶圆中具有用于形成硅通孔的沟槽，所述沟槽的侧壁、底壁以及晶圆面上覆盖有金属层，所述金属层上覆盖有保护层；/n形成覆盖于每个所述沟槽底壁和至少部分侧壁上保护层的胶块，所述胶块的高度平齐于或低于所述晶圆面。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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