[发明专利]芯片封装结构的制作方法、芯片封装结构及半导体器件

权利要求书

1.一种芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供晶圆，所述晶圆中具有用于形成硅通孔的沟槽，所述沟槽的侧壁、底壁以及晶圆面上覆盖有金属层，所述金属层上覆盖有保护层，其中，所述保护层为低温氧化层；

形成覆盖于每个所述沟槽底壁和至少部分侧壁上保护层的胶块，所述胶块的高度平齐于或低于所述晶圆面；

形成覆盖于每个所述沟槽底壁和至少部分侧壁上保护层的胶块包括：

在所述保护层上形成填满所述沟槽并覆盖所述晶圆面的胶层；

去掉所述晶圆面的胶层，在所述沟槽内形成所述胶块，其中，去掉所述晶圆面的胶层包括：对所述胶层进行等离子清洗，清洗掉所述晶圆面的胶层，在所述沟槽内形成所述胶块；在所述保护层上形成填满所述沟槽并覆盖所述晶圆面的胶层包括：

在所述保护层上涂覆胶水，使胶水填满所述沟槽并覆盖所述晶圆面，然后旋转所述晶圆进行甩胶，所述胶水均匀后形成所述胶层；

在形成所述胶层时对所述晶圆进行烘烤。

2.根据权利要求1所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：

对每个所述沟槽内的胶块进行表面平坦化处理。

3.根据权利要求1所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述低温氧化层为耐腐蚀低温氧化薄膜。

4.一种芯片封装结构，其特征在于，采用权利要求1至3中任一项所述的制作方法形成。

5.一种半导体器件，其特征在于，包括权利要求4所述的芯片封装结构。