[发明专利]芯片封装结构的制作方法、芯片封装结构及半导体器件

说明书

本申请公开一种芯片封装结构的制作方法、芯片封装结构及半导体器件，该方法提供的晶圆中具有用于形成硅通孔的沟槽，所述沟槽的侧壁、底壁以及晶圆面上覆盖有金属层，所述金属层上覆盖有保护层；形成覆盖于每个所述沟槽底壁和至少部分侧壁上保护层的胶块，在后续功能凸点的制程能够对沟槽内的保护层形成防护，阻止蚀刻药液渗入，所述胶块的高度平齐于或低于所述晶圆面，不会影响功能凸点的平整性。

技术领域

本申请一般涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种芯片封装结构的制作方法、芯片封装结构及半导体器件。

背景技术

如图1和图2所示，部分产品的晶圆厂来料，晶圆10上线路会有通孔101(via)设计，造成后续功能凸点(bump)制程，例如应力或高温制程中，造成通孔101(via)底部角落电镀电流不流通，电场不均，功能凸点(bump)高度均匀性差以及护层隐裂(crack)，功能凸点(bump)制程中蚀刻药液渗入腐蚀保护层103下金属层102，3D集成电路(integratedcircuit，IC)失效。

传统功能凸点制程，以覆盖聚酰亚胺104(PI)方式保护线路。随着显示屏画素越来越高，驱动3D集成电路(integrated circuit，IC)信号接点剧增，线路设计更密，为了在单个3D集成电路容纳更多的功能凸点(bump)，目前都是有源电路上功能凸点20，功能凸点横跨到线路区。如果仍以传统PI保护方式，功能凸点横跨PI上，首先导致功能凸点的平整性不佳，其次PI需光刻、显影制程，成本较高。

发明内容

鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种芯片封装结构的制作方法、芯片封装结构及半导体器件。

第一方面，本发明提供一种芯片封装结构的制作方法，其特殊之处在于，所述方法包括：

提供晶圆，所述晶圆中具有用于形成硅通孔的沟槽，所述沟槽的侧壁、底壁以及晶圆面上覆盖有金属层，所述金属层上覆盖有保护层；

形成覆盖于每个所述沟槽底壁和至少部分侧壁上保护层的胶块，所述胶块的高度平齐于或低于所述晶圆面；

形成覆盖于每个所述沟槽底壁和至少部分侧壁上保护层的胶块包括：

在所述保护层上形成填满所述沟槽并覆盖所述晶圆面的胶层；

去掉所述晶圆面的胶层，在所述沟槽内形成所述胶块；

在所述保护层上形成填满所述沟槽并覆盖所述晶圆面的胶层包括：

在所述保护层上涂覆胶水，使胶水填满所述沟槽并覆盖所述晶圆面，然后旋转所述晶圆进行甩胶，所述胶水均匀后形成所述胶层；

在形成所述胶层时对所述晶圆进行烘烤。

进一步地，所述方法还包括：对每个所述沟槽内的胶块进行表面平坦化处理。

进一步地，去掉所述晶圆面的胶层包括：对所述胶层进行等离子清洗，清洗掉所述晶圆面的胶层，在所述沟槽内形成所述胶块。

进一步地，所述保护层为低温氧化层。

进一步地，所述低温氧化层为耐腐蚀低温氧化薄膜。

第二方面，本发明提供一种芯片封装结构，其特殊之处在于，采用上面所述的制作方法形成。

第三方面，本发明提供一种半导体器件，其特殊之处在于，包括上面所述的芯片封装结构。

本发明与现有技术相比具有以下优点：本发明的方法提供的晶圆中具有用于形成硅通孔的沟槽，所述沟槽的侧壁、底壁以及晶圆面上覆盖有金属层，所述金属层上覆盖有保护层；形成覆盖于每个所述沟槽底壁和至少部分侧壁上保护层的胶块，在后续功能凸点的制程能够对沟槽内的保护层形成防护，阻止蚀刻药液渗入，所述胶块的高度平齐于或低于所述晶圆面，不会影响功能凸点的平整性。

附图说明