[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置

摘要

本发明能够减轻等离子体处理中对图案造成的损伤。等离子体处理装置执行的等离子体处理方法包括开口部形成步骤、第一膜形成步骤、第二膜形成步骤和蚀刻步骤。等离子体处理装置在开口部形成步骤中，对包括基底层和形成在基底层上的第一层的处理对象基片实施蚀刻，来在第一层上形成开口部。等离子体处理装置在判断为开口部满足规定条件的情况下，在第一膜形成步骤中利用化学气相沉积在开口部的底面形成抑制剂，来形成规定的气体种不会吸附于其上的第一膜。等离子体处理装置在形成了第一膜之后，在第二膜形成步骤中通过以规定的气体种为前体气体的原子层沉积，在开口部的侧壁上形成第二膜。等离子体处理装置进而在蚀刻步骤中对开口部实施蚀刻。

主权项

1.一种等离子体处理方法，其特征在于，包括：/n通过对包括基底层和形成在基底层上的第一层的处理对象基片实施蚀刻，在所述第一层上形成开口部的开口部形成步骤；/n在判断为所述开口部满足规定条件的情况下，利用化学气相沉积在所述开口部的底面形成抑制剂来形成规定的气体种不会吸附于其上的第一膜的第一膜形成步骤；/n在形成了所述第一膜之后，通过以所述规定的气体种为前体气体的原子层沉积在所述开口部的侧壁上形成第二膜的第二膜形成步骤；和/n对所述开口部实施蚀刻的蚀刻步骤。/n