[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置

权利要求书

1.一种等离子体处理方法，其特征在于，包括：

通过对包括基底层和形成在基底层上的第一层的处理对象基片实施蚀刻，在所述第一层上形成开口部的开口部形成步骤；

在判断为所述开口部满足规定条件的情况下，利用化学气相沉积在所述开口部的底面形成抑制剂来形成规定的气体种不会吸附于其上的第一膜的第一膜形成步骤；

在形成了所述第一膜之后，通过以所述规定的气体种为前体气体的原子层沉积在所述开口部的侧壁上形成第二膜的第二膜形成步骤；和

对所述开口部实施蚀刻的蚀刻步骤。

2.如权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于：

还包括判断所述开口部的底面与所述基底层的表面之间的距离是否为规定距离以下的判断步骤，

在判断为所述距离在所述规定距离以下的情况下，执行所述第一膜形成步骤和所述第二膜形成步骤。

3.如权利要求2所述的等离子体处理方法，其特征在于：

所述规定距离是20纳米。

4.如权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于：

在判断为形成了损伤层的情况下执行所述第一膜形成步骤和所述第二膜形成步骤，

所述蚀刻步骤用于除去所述损伤层。

5.如权利要求1至4中任一项所述的等离子体处理方法，其特征在于：

在所述第二膜形成步骤中反复执行规定次数的原子层沉积。

6.如权利要求1至5中任一项所述的等离子体处理方法，其特征在于：

各步骤在同一腔室内执行。

7.如权利要求1至6中任一项所述的等离子体处理方法，其特征在于：

各步骤是对所述基底层与所述第一层是由不同材料构成的所述处理对象基片执行的。

8.如权利要求1至7中任一项所述的等离子体处理方法，其特征在于：

在所述第二膜形成步骤中，利用与所述第一层不同的材料形成所述第二膜。

9.如权利要求1至4中任一项所述的等离子体处理方法，其特征在于：

各步骤是对所述基底层由SiO₂形成、所述第一层由SiN或Si形成的所述处理对象基片执行的，

在所述第二膜形成步骤中利用SiO₂膜形成所述第二膜。

10.如权利要求6所述的等离子体处理方法，其特征在于：

各步骤是对所述基底层由Si形成、所述第一层由SiO₂形成的所述处理对象基片执行的，

在所述第二膜形成步骤中利用SiN形成所述第二膜。

11.一种包括存储部和控制部的等离子体处理装置，其中，所述存储部存储规定的程序，所述控制部控制所述程序的执行，所述等离子体处理装置的特征在于：

所述控制部通过执行所述程序来执行：

通过对包括基底层和形成在基底层上的第一层的处理对象基片实施蚀刻，在所述第一层上形成开口部的开口部形成步骤；

在判断为所述开口部满足规定条件的情况下，利用化学气相沉积在所述开口部的底面形成抑制剂来形成规定的气体种不会吸附于其上的第一膜的第一膜形成步骤；

在形成了所述第一膜之后，通过以所述规定的气体种为前体气体的原子层沉积在所述开口部的侧壁上形成第二膜的第二膜形成步骤；和

对所述开口部实施蚀刻的蚀刻步骤。