[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 201910653678.2 | 申请日： | 2019-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN112242444A | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 张峻铭;叶治东 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L23/60;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中该高电子迁移率晶体管包含一第一III‑V族化合物层，一第二III‑V族化合物层设置于第一III‑V族化合物层上，第二III‑V族化合物层的组成与第一III‑V族化合物层不同，一源极电极以及一漏极电极设置于第二III‑V族化合物层之上，一栅极电极设置于源极电极与漏极电极之间的第二III‑V族化合物层上，一绝缘层位于漏极电极和栅极电极之间，覆盖并接触第二III‑V族化合物层，至少一个电极设置在绝缘层上并且接触绝缘层，其中电极外接一电压。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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