[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包含：

第一III-V族化合物层；

第二III-V族化合物层，设置于该第一III-V族化合物层上，该第二III-V族化合物层的组成与该第一III-V族化合物层不同；

源极电极以及漏极电极，设置于该第二III-V族化合物层之上；

栅极电极，设置于该源极电极与该漏极电极之间的该第二III-V族化合物层上；

绝缘层，位于该漏极电极和该栅极电极之间，覆盖并接触该第二III-V族化合物层；以及

至少一个电极设置在该绝缘层上并且接触该绝缘层，其中该电极外接一电压。

2.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该第一III-V族化合物层为氮化镓，该第二III-V族化合物层包含氮化铝镓、氮化铝铟、氮化铝铟镓或氮化铝。

3.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该漏极电极电连接该电极。

4.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该漏极电极外接一漏极电压，该漏极电压和该电压不同。

5.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中施加该电压以去除位于该第二III-V族化合物层和该第一III-V族化合物层中的陷落电子。

6.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，另包含：

第三III-V族化合物层，设置该第二III-V族化合物层之上，该第三III-V族化合物层的组成包含和该第一III-V族化合物层相同的材料和P型掺质或和第二III-V族化合物层相同的材料和P型掺质，其中该栅极电极接触该第三III-V族化合物层。

7.如权利要求6所述的高电子迁移率晶体管，其中该第三III-V族化合物层为P型氮化镓或P型氮化铝铟镓。

8.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，另包含：

含氟区域，设置于该第二III-V族化合物层，其中该栅极电极覆盖该含氟区域。

9.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，另包含：

凹槽，设置于该第二III-V族化合物层中，其中该栅极电极位于凹槽内。

10.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该绝缘层包含氮化铝、氮化硅或氧化铝。

11.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该绝缘层包含正离子掺质。

12.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该绝缘层顺应地覆盖该源极电极、该漏极电极和该栅极电极。

13.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中一垂直方向Y和该第二III-V族化合物层的上表面垂直，该电极和该漏极电极在该垂直方向上不重叠。

14.一种高电子迁移率晶体管的制作方法，包含：

提供第一III-V族化合物层；

形成第二III-V族化合物层于该第一III-V族化合物层上，该第二III-V族化合物层的组成与该第一III-V族化合物层不同；

形成源极电极、漏极电极和栅极电极于该第二III-V族化合物层上，其中该栅极电极位于该源极电极与该漏极电极之间；

形成绝缘层覆盖并接触该第二III-V族化合物层、该漏极电极、该源极电极和该栅极电极；以及

在形成该绝缘层之后，形成至少一个电极在该漏极电极和该栅极电极之间的该绝缘层上，并且该电极接触该绝缘层，其中该电极外接一电压。

15.如权利要求14所述的高电子迁移率晶体管的制作方法，其中该绝缘层包含氮化铝、氮化硅或氧化铝。