[发明专利]非易失性存储器器件的感测电路和操作方法在审
| 申请号： | 201910653554.4 | 申请日： | 2019-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN111009276A | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 辛贤真 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/24 | 分类号： | G11C16/24;G11C16/08;G11C16/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 杨姗 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 非易失性存储器器件的感测电路包括预充电电流产生器、调整晶体管和自适应控制电压产生器。预充电电流产生器连接到感测节点，并响应于预充电信号产生预充电电流，该预充电电流被提供给非易失性存储器器件的位线。连接在感测节点和第一节点之间的调整晶体管响应于第一控制电压调整被提供给位线的预充电电流的量。自适应控制电压产生器响应于预充电信号和第二控制电压产生与操作温度成比例的控制电流，并且与操作温度成比例地对第一控制电压的电平进行升压。第二控制电压与操作温度成反比。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 器件 电路 操作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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