[发明专利]非易失性存储器器件的感测电路和操作方法

说明书

非易失性存储器器件的感测电路包括预充电电流产生器、调整晶体管和自适应控制电压产生器。预充电电流产生器连接到感测节点，并响应于预充电信号产生预充电电流，该预充电电流被提供给非易失性存储器器件的位线。连接在感测节点和第一节点之间的调整晶体管响应于第一控制电压调整被提供给位线的预充电电流的量。自适应控制电压产生器响应于预充电信号和第二控制电压产生与操作温度成比例的控制电流，并且与操作温度成比例地对第一控制电压的电平进行升压。第二控制电压与操作温度成反比。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年10月4日向韩国知识产权局(KIPO)递交的韩国专利申请No.10-2018-0118358的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文中。

技术领域

示例实施例大体上涉及半导体存储器器件，更具体地，涉及非易失性存储器器件的感测电路、包括感测电路的非易失性存储器器件以及操作非易失性存储器器件的方法。

背景技术

半导体存储器器件可以根据存储器器件从电源切断时的数据保持特性而被分类为易失性存储器和非易失性存储器。NAND闪存器件通常是非易失性存储器器件，并且包括多个NAND闪存单元。

根据程序，NAND闪存单元可以被划分为导通单元(on-cell)和截止单元(off-cell)。当存储器单元之一是导通单元时，在位线中流动的电流被称为导通单元电流，并且存储器单元之一是截止单元时，在位线中流动的电流被称为截止单元电流。

随着工艺的细化，可以降低操作电压，从而可以降低导通单元电流，并且位线的漏电流可以在高温下增加(例如，85℃至150℃)。当读取截止单元时，由于漏电流流过位线，因此可能错误地将截止单元感测为导通单元，从而减小了导通单元和截止单元的感测裕度。

发明内容

一些示例实施例涉及一种能够增强性能和可靠性的非易失性存储器器件的感测电路。

一些示例实施例涉及一种能够增强性能和可靠性的非易失性存储器器件。

一些示例实施例涉及一种能够增强性能和可靠性的操作非易失性存储器器件的方法。

根据示例实施例，非易失性存储器器件的感测电路包括预充电电流产生器、调整晶体管、自适应控制电压产生器和电流调整电路。预充电电流产生器连接到感测节点，并响应于预充电信号产生被提供给非易失性存储器器件的位线的预充电电流。调整晶体管连接在感测节点和与位线耦接的第一节点之间，并且响应于第一控制电压调整被提供给位线的预充电电流的量。自适应控制电压产生器响应于预充电信号和第二控制电压产生与非易失性存储器器件的操作温度成比例的控制电流，并且基于控制电流与操作温度成比例地对第一控制电压的电平进行升压。第二控制电压与操作温度成反比。

根据示例实施例，非易失性存储器器件包括存储器单元阵列、列选择电路、连接到列选择电路的感测电路、以及控制电路。存储器单元阵列包括耦接到多个字线和多个位线的多个存储器单元。列选择电路包括分别耦接到位线的多个选择晶体管。控制电路基于命令和地址控制列选择电路、感测电路。感测电路包括预充电电流产生器、调整晶体管和自适应控制电压产生器。预充电电流产生器连接到感测节点，并且响应于预充电信号产生被提供给多个位线中的第一位线的预充电电流。调整晶体管连接在感测节点和与第一位线耦接的第一节点之间，并且响应于第一控制电压调整被提供给第一位线的预充电电流的量。自适应控制电压产生器响应于预充电信号和第二控制电压产生与非易失性存储器器件的操作温度成比例的控制电流，并且基于控制电流与操作温度成比例地对第一控制电压的电平进行升压。第二控制电压与操作温度成反比。