[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 201910643781.9 | 申请日： | 2019-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN112242436A | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 陈立哲;宋建宪;林志威;谭鸿志 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王天尧;任默闻 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构，包括：一基板；一栅极，设置于该基板上；一源极，设置于该基板中，位于该栅极的一侧；一漏极，设置于该基板中，位于该栅极的另一侧；以及一栅极延伸部，设置于该基板上，位于该栅极与该漏极之间，其中该栅极的掺杂型式与该栅极延伸部的掺杂型式相反。通过本发明特殊的半导体结构设计可有效减少开关器件的功率损失，大幅提高开关频率及达到高效能的电功率转换。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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