[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 201910643781.9 | 申请日： | 2019-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN112242436A | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 陈立哲;宋建宪;林志威;谭鸿志 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王天尧;任默闻 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
一基板；
一栅极，设置于该基板上；
一源极，设置于该基板中，位于该栅极的一侧；
一漏极，设置于该基板中，位于该栅极的另一侧；以及
一栅极延伸部，设置于该基板上，位于该栅极与该漏极之间，其中该栅极的掺杂型式与该栅极延伸部的掺杂型式相反。
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该基板为P型或N型基板。
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，当该基板为P型基板时，该栅极的掺杂型式为N型，该源极的掺杂型式为N型，该漏极的掺杂型式为N型，以及该栅极延伸部的掺杂型式为P型。
4.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，当该基板为N型基板时，该栅极的掺杂型式为P型，该源极的掺杂型式为P型，该漏极的掺杂型式为P型，以及该栅极延伸部的掺杂型式为N型。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该栅极与该栅极延伸部实质接触。
6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该栅极与该栅极延伸部实质分离。
7.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，更包括一金属场板(field plate)，设置于该基板上，位于该栅极延伸部与该漏极之间。
8.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，更包括一氧化层，设置于该基板上，位于该金属场板下方。
9.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，该金属场板与该栅极及该栅极延伸部电连接。
10.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，该金属场板与该源极电连接。
11.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，该栅极与该栅极延伸部电连接。
12.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，该栅极延伸部与该源极电连接。
13.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，该栅极延伸部的宽度与该栅极的宽度的比值介于0.3-1.2。
14.如权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，该栅极延伸部的宽度与该栅极的宽度的总合为定值。
15.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该栅极与该栅极延伸部为多晶硅。
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