[发明专利]半导体单片集成电路的蚀刻设备有效
| 申请号： | 201910640476.4 | 申请日： | 2019-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN110473807B | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 郝建华;李会斌;高金生 | 申请（专利权）人： | 江苏籽硕科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京博海嘉知识产权代理事务所(普通合伙) 16007 | 代理人： | 郝彦东 |
| 地址： | 225000 江苏省泰州市医药高新技术产业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了半导体单片集成电路的蚀刻设备，包括安装座、上下进给组件、纵向滑移组件、刀座、横向滑移组件、防护罩和蚀刻组件，所述安装座的一侧设置有上下进给组件，所述上下进给组件的一侧设置有纵向滑移组件，所述上下进给组件的一侧还设置有刀座，所述纵向滑移组件的一侧连接有横向滑移组件，所述横向滑移组件的底部设置有蚀刻组件，所述横向滑移组件的一侧还安装有防护罩，所述横向滑移组件包括基板，所述基板的一侧安装有第三导轨，所述第三导轨的一侧滑动连接有第三丝杠滑移副，所述第三丝杠滑移副的顶部还安装有第二伸缩气缸，所述第二伸缩气缸的输出杆与基板相连接，本发明，具有加工效率高和功能多样的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 单片 集成电路 蚀刻 设备 | ||
【主权项】：
1.半导体单片集成电路的蚀刻设备，包括安装座(1)、上下进给组件(2)、纵向滑移组件(3)、刀座(4)、横向滑移组件(5)、防护罩(6)和蚀刻组件(7)，其特征在于：所述安装座(1)的一侧设置有上下进给组件(2)，所述上下进给组件(2)的一侧设置有纵向滑移组件(3)，所述上下进给组件(2)的一侧还设置有刀座(4)，所述纵向滑移组件(3)的一侧连接有横向滑移组件(5)，所述横向滑移组件(5)的底部设置有蚀刻组件(7)，所述横向滑移组件(5)的一侧还安装有防护罩(6)。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
