[发明专利]半导体单片集成电路的蚀刻设备有效
申请号: | 201910640476.4 | 申请日: | 2019-07-16 |
公开(公告)号: | CN110473807B | 公开(公告)日: | 2021-12-28 |
发明(设计)人: | 郝建华;李会斌;高金生 | 申请(专利权)人: | 江苏籽硕科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京博海嘉知识产权代理事务所(普通合伙) 16007 | 代理人: | 郝彦东 |
地址: | 225000 江苏省泰州市医药高新技术产业*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 单片 集成电路 蚀刻 设备 | ||
1.半导体单片集成电路的蚀刻设备,包括安装座(1)、上下进给组件(2)、纵向滑移组件(3)、刀座(4)、横向滑移组件(5)、防护罩(6)和蚀刻组件(7),其特征在于:所述安装座(1)的一侧设置有上下进给组件(2),所述上下进给组件(2)的一侧设置有纵向滑移组件(3),所述上下进给组件(2)的一侧还设置有刀座(4),所述纵向滑移组件(3)的一侧连接有横向滑移组件(5),所述横向滑移组件(5)的底部设置有蚀刻组件(7),所述横向滑移组件(5)的一侧还安装有防护罩(6);
所述蚀刻组件(7)包括第四电机(71)、刀具盘(72)、蚀刻刀具(73)、凸轮(74)和分度盘(75),所述第四电机(71)安装在第三丝杠滑移副(54)上,所述第四电机(71)的输出轴连接有分度盘(75),所述分度盘(75)的底部设置有弧形块(751),所述第三丝杠滑移副(54)的底部设置有轴承座(541),所述轴承座(541)的底部通过轴承连接有凸轮(74),所述凸轮(74)的侧面均匀间隔设置有凹坑部(741)和弧形配合部(742),所述凹坑部(741)和弧形配合部(742)均与弧形块(751)相接触;
所述刀具盘(72)的顶部均匀通过螺栓固定有卡夹部(721),所述卡夹部(721)的内部安装有蚀刻刀具(73);
所述蚀刻刀具(73)的底部设置有圆柱腔(734),所述圆柱腔(734)的底部均匀开设有圆形通孔(7341),所述蚀刻刀具(73)的内部安装有第三伸缩气缸(735),所述第三伸缩气缸(735)的输出杆连接有连杆(736),所述连杆(736)的底部均匀分布有活塞(737),所述活塞(737)穿过圆形通孔(7341),所述圆柱腔(734)的内部对应设置有第一距离传感器(7351)和第二距离传感器(7352),所述第一距离传感器(7351)和第二距离传感器(7352)均与连杆(736)为配合结构,所述圆柱腔(734)的顶部开设有通孔,且通孔贯通连接有连通管(7321),所述连通管(7321)的一端伸出蚀刻刀具(73)的外壁,且相接处设置有进水口(732),所述蚀刻刀具(73)的顶部开设有方形槽(733),所述蚀刻刀具(73)的外壁设置有内缘(731)。
2.根据权利要求1所述的半导体单片集成电路的蚀刻设备,其特征在于:所述横向滑移组件(5)包括基板(52),所述基板(52)的一侧安装有第三导轨(53),所述第三导轨(53)的一侧滑动连接有第三丝杠滑移副(54),所述第三丝杠滑移副(54)的顶部还安装有第二伸缩气缸(51),所述第二伸缩气缸(51)的输出杆与基板(52)相连接。
3.根据权利要求1所述的半导体单片集成电路的蚀刻设备,其特征在于:所述刀座(4)的内部安装有方形块(42),所述方形块(42)的底部通过焊接固定有方形杆(43),且方形杆(43)穿过方形槽(733),所述刀座(4)的内壁对应安装有第一伸缩气缸(44),所述第一伸缩气缸(44)的输出杆连接有夹紧块(45),所述夹紧块(45)与内缘(731)相接触。
4.根据权利要求2所述的半导体单片集成电路的蚀刻设备,其特征在于:所述上下进给组件(2)包括第一电机(21)、安装架(22)、第一导轨(23)和第一丝杠滑移副(24),所述安装座(1)的一侧安装有安装架(22),所述安装架(22)的顶部设置有第一电机(21),所述第一电机(21)的输出轴连接有第一丝杠滑移副(24),所述刀座(4)安装在第一丝杠滑移副(24)上。
5.根据权利要求4所述的半导体单片集成电路的蚀刻设备,其特征在于:所述纵向滑移组件(3)包括第二电机(31)、第二丝杠滑移副(32)和第二导轨(33),所述基板(52)与第二丝杠滑移副(32)相连接,所述第二导轨(33)和第二电机(31)均安装在第一丝杠滑移副(24)上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造