[发明专利]成膜装置、原料供给装置以及成膜方法在审
申请号: | 201910640099.4 | 申请日: | 2019-07-16 |
公开(公告)号: | CN110735124A | 公开(公告)日: | 2020-01-31 |
发明(设计)人: | 古屋雄一;田中雅之 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/18 | 分类号: | C23C16/18;C23C16/455;C23C16/52 |
代理公司: | 11277 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及一种成膜装置、原料供给装置以及成膜方法,能够以大流量稳定地供给由低蒸气压原料产生的原料气体。本公开的一个方式的成膜装置通过载气来向处理容器输送由低蒸气压原料产生的原料气体,来在基板上形成膜,所述成膜装置具备:原料容器,其用于收容所述低蒸气压原料,并对该低蒸气压原料进行加热;第一气体配管,其用于向所述原料容器供给所述载气;第二气体配管,其用于将所述原料容器与所述处理容器连接;开闭阀,其设置于所述第二气体配管;以及测定部,其用于测定所述第二气体配管中流过的所述原料气体的流量,其中,所述第二气体配管配置在所述处理容器的中心轴线上,所述原料容器以相对于所述处理容器的中心轴线偏移的方式配置。 | ||
搜索关键词: | 气体配管 处理容器 原料容器 蒸气压 成膜装置 原料气体 中心轴线 原料供给装置 方式配置 大流量 开闭阀 偏移 成膜 基板 载气 加热 配置 | ||
【主权项】:
1.一种成膜装置,通过载气向处理容器输送由低蒸气压原料产生的原料气体,来在基板上形成膜,所述成膜装置具备:/n原料容器,其用于收容所述低蒸气压原料,并对该低蒸气压原料进行加热;/n第一气体配管,其用于向所述原料容器供给所述载气;/n第二气体配管,其用于将所述原料容器与所述处理容器连接;/n开闭阀,其设置于所述第二气体配管;以及/n测定部,其用于测定所述第二气体配管中流过的所述原料气体的流量,/n其中,所述第二气体配管配置在所述处理容器的中心轴线上,/n所述原料容器以相对于所述处理容器的中心轴线偏移的方式配置。/n
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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