[发明专利]成膜装置、原料供给装置以及成膜方法

说明书

本发明涉及一种成膜装置、原料供给装置以及成膜方法，能够以大流量稳定地供给由低蒸气压原料产生的原料气体。本公开的一个方式的成膜装置通过载气来向处理容器输送由低蒸气压原料产生的原料气体，来在基板上形成膜，所述成膜装置具备：原料容器，其用于收容所述低蒸气压原料，并对该低蒸气压原料进行加热；第一气体配管，其用于向所述原料容器供给所述载气；第二气体配管，其用于将所述原料容器与所述处理容器连接；开闭阀，其设置于所述第二气体配管；以及测定部，其用于测定所述第二气体配管中流过的所述原料气体的流量，其中，所述第二气体配管配置在所述处理容器的中心轴线上，所述原料容器以相对于所述处理容器的中心轴线偏移的方式配置。

技术领域

本公开涉及一种成膜装置、原料供给装置以及成膜方法。

背景技术

已知如下一种技术：通过载气向处理容器输送使低蒸气压原料气化而产生的原料气体，来在基板上形成膜(例如参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009-84625号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供一种能够以大流量稳定地供给由低蒸气压原料产生的原料气体的技术。

用于解决问题的方案

本公开的一个方式的成膜装置通过载气向处理容器输送由低蒸气压原料产生的原料气体，来在基板上形成膜，所述成膜装置具备：原料容器，其用于收容所述低蒸气压原料，并对该低蒸气压原料进行加热；第一气体配管，其用于向所述原料容器供给所述载气；第二气体配管，其用于将所述原料容器与所述处理容器连接；开闭阀，其设置于所述第二气体配管；以及测定部，其用于测定所述第二气体配管中流过的所述原料气体的流量，其中，所述第二气体配管配置在所述处理容器的中心轴线上，所述原料容器以相对于所述处理容器的中心轴线偏移的方式配置。

发明的效果

根据本公开，能够以大流量稳定地供给由低蒸气压原料产生的原料气体。

附图说明

图1是表示第一实施方式的成膜装置的结构例的概要图。

图2是表示第二实施方式的成膜装置的结构例的概要图。

图3是表示第三实施方式的成膜装置的结构例的概要图。

具体实施方式

下面，参照附图来对本公开的非限定性的例示的实施方式进行说明。在所有附图中，对相同或对应的构件或部件标注相同或对应的附图标记，并省略重复的说明。

〔第一实施方式〕

以通过化学气相沉积(CVD：Chemical Vapor Deposition)法来形成钌(Ru)膜的装置为例来对第一实施方式的成膜装置进行说明。图1是表示第一实施方式的成膜装置的结构例的概要图。