[发明专利]成膜装置、原料供给装置以及成膜方法在审
申请号: | 201910640099.4 | 申请日: | 2019-07-16 |
公开(公告)号: | CN110735124A | 公开(公告)日: | 2020-01-31 |
发明(设计)人: | 古屋雄一;田中雅之 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/18 | 分类号: | C23C16/18;C23C16/455;C23C16/52 |
代理公司: | 11277 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 气体配管 处理容器 原料容器 蒸气压 成膜装置 原料气体 中心轴线 原料供给装置 方式配置 大流量 开闭阀 偏移 成膜 基板 载气 加热 配置 | ||
1.一种成膜装置,通过载气向处理容器输送由低蒸气压原料产生的原料气体,来在基板上形成膜,所述成膜装置具备:
原料容器,其用于收容所述低蒸气压原料,并对该低蒸气压原料进行加热;
第一气体配管,其用于向所述原料容器供给所述载气;
第二气体配管,其用于将所述原料容器与所述处理容器连接;
开闭阀,其设置于所述第二气体配管;以及
测定部,其用于测定所述第二气体配管中流过的所述原料气体的流量,
其中,所述第二气体配管配置在所述处理容器的中心轴线上,
所述原料容器以相对于所述处理容器的中心轴线偏移的方式配置。
2.根据权利要求1所述的成膜装置,其特征在于,
所述第二气体配管包括多个直管部和用于连接所述多个直管部的多个弯曲部,
在所述多个直管部中,一端与所述处理容器连接的一个直管部的配管长度比其它直管部的配管长度长。
3.根据权利要求1或2所述的成膜装置,其特征在于,
所述原料容器配置在比所述处理容器高的位置。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的成膜装置,其特征在于,
所述原料容器的宽度为所述处理容器的宽度以内。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的成膜装置,其特征在于,
还具备控制所述开闭阀的开度的控制部,
所述控制部基于由所述测定部测定出的所述原料气体的流量,来控制所述开闭阀的开度。
6.根据权利要求5所述的成膜装置,其特征在于,
在由所述测定部测定出的所述原料气体的流量小于预先决定的设定流量的情况下,所述控制部进行控制,使得所述开闭阀的开度变大。
7.根据权利要求5所述的成膜装置,其特征在于,
在由所述测定部测定出的所述原料气体的流量大于预先决定的设定流量的情况下,所述控制部进行控制,使得所述开闭阀的开度变小。
8.根据权利要求5至7中的任一项所述的成膜装置,其特征在于,
所述成膜装置还具备排空配管,该排空配管以从所述第二气体配管的中途分支出来的方式设置,用于对所述第二气体配管进行排气,
所述开闭阀和所述测定部设置在所述排空配管的分支点的离所述处理容器近的一侧。
9.根据权利要求8所述的成膜装置,其特征在于,还具备:
第二开闭阀,其设置于所述排空配管;以及
第二测定部,其测定所述排空配管中流过的所述原料气体的流量。
10.根据权利要求9所述的成膜装置,其特征在于,
所述控制部基于由所述第二测定部测定出的所述原料气体的流量,来控制所述第二开闭阀的开度。
11.根据权利要求10所述的成膜装置,其特征在于,
所述控制部基于所述第二开闭阀的开度,来控制所述开闭阀的开度。
12.根据权利要求5至7中的任一项所述的成膜装置,其特征在于,
所述成膜装置还具备排空配管,该排空配管从所述第二气体配管的中途分支出来,用于对所述第二气体配管进行排气,
所述开闭阀和所述测定部设置在所述排空配管的分支点的离所述原料容器近的一侧。
13.根据权利要求5至12中的任一项所述的成膜装置,其特征在于,
所述控制部基于由所述测定部测定出的所述原料气体的流量,来计算所述原料容器内的所述低蒸气压原料的剩余量。
14.根据权利要求1至13中的任一项所述的成膜装置,其特征在于,
所述测定部包括傅立叶变换红外光谱仪和电容压力计。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的