[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201910639112.4 | 申请日： | 2019-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN110473777B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 杨尊;张珍珍;宋冬门;周永平 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/027;H01L21/02;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳;高德志 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种本发明的半导体结构的形成方法，在所述晶圆正面表面依次形成第一介质层，位于第一介质层上的第一硬掩膜层后，对所述晶圆的背面采用DSP溶液进行清洗。对晶圆的背面进行清洗采用DSP溶液，一方面，所述DSP溶液能干净的去除晶圆背面的残留的金属离子；另一方面，采用DSP溶液对背面进行清洗的过程中，DSP溶液溶液对于晶圆材料和第一介质层材料的刻蚀速率较低，防止晶圆正面边缘的第一介质层的表面和晶圆正面表面不会形成刻蚀缺陷，进而后续在第一介质层上形成第二介质层和第二硬掩膜层时，晶圆边缘上的第二介质层和第二硬掩膜层不会悬空，从而防止第二介质层和第二硬掩膜层的边缘形成剥离(peeling)缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：/n提供晶圆，在所述晶圆正面表面依次形成第一介质层，位于第一介质层上的第一硬掩膜层；/n形成所述第一硬掩膜层后，对所述晶圆的背面采用DSP溶液进行清洗。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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