[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供晶圆，在所述晶圆正面表面依次形成第一介质层，位于第一介质层上的第一硬掩膜层；

在所述第一硬掩膜层上形成介电抗反射涂层；

在形成介电抗反射涂层后，对晶圆的背面采用DSP溶液进行清洗；

在对所述晶圆的背面进行清洗后，在所述介电抗反射涂层表面形成图形化的光刻胶层；以所述图形化的光刻胶层为掩膜，刻蚀所述第一硬掩膜层，在第一硬掩膜层中形成开口；沿开口刻蚀所述第一介质层，在第一介质层中形成第一通孔；去除所述图形化的光刻胶层；在所述第一通孔中形成第一金属插塞；在所述第一介质层和第一金属插塞上形成第二介质层；去除所述第一硬掩膜层；在第二介质层上形成第二硬掩膜层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述DSP溶液中包括超纯水、硫酸和双氧水，超纯水、硫酸和双氧水的体积比为87-89：7-9:3-5。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，所述DSP溶液中还包括550-650ppm HF。

4.如权利要求2或3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述晶圆的材料为Si，所述第一介质层的材料为SiO₂。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在对晶圆的背面进行清洗时，部分DSP溶液会从晶圆侧面流到晶圆正面边缘的第一介质层以及晶圆正面表面。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述晶圆上具有有源区，所述有源区部分表面形成有金属硅化物，所述第一通孔暴露出金属硅化物表面。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述金属硅化物为硅化镍、硅化钨、硅化钴、硅化钽、硅化钛的一种或它们的组合。